Вплив іонної імплантації на структурні та оптичні властивості суперіонних провідників Cu₆PS₅I

Abstract

Проведено іонну імплантацію сіркою кристалів Cu₆PS₅I та їх структурні дослідження методами скануючої електронної мікроскопії та дифракції рентгенівських променів. Вивчено вплив іонної імплантації на поведінку спектрів раманівського розсіювання світла в залежності від величини флуенса. Проведено еліпсометричні дослідження, отримані значення еліпсометричних параметрів імплантованих кристалів Cu₆PS₅I, а також вивчено залежність показника заломлення в імплантованих зразках від величини флуенса. За результатами ізоабсорбційних досліджень краю оптичного поглинання вивчено вплив іонної імплантації на реалізацію суперіонного фазового переходу та суперіонного стану. Проведено спектральні дослідження краю оптичного поглинання, вивчено вплив іонної імплантації на параметри урбахівського краю поглинання і процеси розупорядкування кристалічної гратки.

Sulfur ionic implantation of Cu₆PS₅I crystals and its structural investigations by scanning electron microscopy and X-ray diffraction methods are carried out. An influence of ionic implantation on Raman scattering spectra depending from fluence values is studied. Ellipsometric investigations are performed, ellipsometric parameters values of Cu₆PS₅I implanted crystals are obtained, and refraction index dependence of implanted samples from fluence values is studied. Due to isoabsorption investigations influence of ionic implantation on realization of superionic phase transition and superionic state is studied. Spectral measurements of optical absorption edge are carried out, influence of ionic implantation on Urbach absorption edge parameters and crystal lattice disorder processes is studied.