Електрична провідність та край поглинання кристалів Cu(7)SiS(5)I

Abstract

В роботі наведено результати експериментальних досліджень частотної та темпера- турної поведінки електропровідності суперіонного кристала Cu7SiS5I в частотному діапазоні 1.0×106–1.2×109 Гц та температурному інтервалі 100-300 К. За результатами досліджень спектральних залежностей коефіцієнта поглинання показано, що в інтервалі температур 77-300 К край поглинання має експоненціальну форму, а його температурна поведінка описується правилом Урбаха. Встановлено, що температурні залежності таких параметрів урбахівського краю поглинання як оптична псевдощілина та урбахівська енергія описуються в рамках моделі Ейнштейна. Ключові слова: суперіонний кристал, електропровідність, край поглинання, правило Урбаха, оптична псевдощілина.