Please use this identifier to cite or link to this item: https://dspace.uzhnu.edu.ua/jspui/handle/lib/36416
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorБлецкан, Дмитро Іванович-
dc.contributor.authorКабацій, В. М.-
dc.contributor.authorКраньчец, М.-
dc.contributor.authorФролова, В. В.-
dc.date.accessioned2021-09-16T20:42:01Z-
dc.date.available2021-09-16T20:42:01Z-
dc.date.issued2008-
dc.identifier.citationДослідження процесів рекомбінації та прилипання в монокристалах Ga2Se3 / Д. І. Блецкан, В. М. Кабацій, М. Краньчец, В. В. Фролова // Науковий вісник Ужгородського університету : серія: Фізика / ред. кол. : В.Різак, В.Біланич, Ю.Височанський, О.Грабар. – Ужгород : Говерла, 2008. – Вип. 23. – С. 118-125. – Рез. укр., англ. – Бібліогр.: с. 124-125 (29 назв)uk
dc.identifier.urihttps://dspace.uzhnu.edu.ua/jspui/handle/lib/36416-
dc.description.abstractЗ використанням взаємодоповнюючих та незалежних стаціонарних і кінетичних методів дослідження фотопровідності встановлено схему електронних переходів у високоомних кристалах Ga2Se3 n-типу, одержаних методом Бріджмена.uk
dc.description.abstractModel of the electron transitions in high-resistance Ga2Se3 crystals of n-type, obtained by Bridgmen method, was established by utilizing mutually complementary stationary and kinetic methods of photoconductivity investigations.uk
dc.language.isoukuk
dc.publisherВидавництво УжНУ "Говерла"uk
dc.relation.ispartofseriesФізика;-
dc.titleДослідження процесів рекомбінації та прилипання в монокристалах Ga2Se3uk
dc.title.alternativeStudy of the recombination and retrapping processes in Ga2Se3 monocrystalsuk
dc.typeTextuk
dc.pubTypeСтаттяuk
Appears in Collections:Науковий вісник УжНУ Серія: Фізика. Випуск 23 (2008)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
ДОСЛІДЖЕННЯ ПРОЦЕСІВ РЕКОМБІНАЦІЇ ТА.pdf192.98 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.