Залежність діелектричних властивостей кристалів TlInS2 від температури та гідростатичного тиску

Abstract

Досліджено шаруваті сегнетоелектрики TlInS2 при високих гідростатичних тисках (pатм ≤ p≤ 660 МПа). Встановлено, що в інтервалі тисків (pатм ≤ p≤ 580 МПа) при збільшенні гідростатичного тиску спостерігається зміщення аномалій діелектричної проникності та тангенсу кута діелектричних втрат в область вищих температур і барична зміна температур характерних аномалій має лінійний характер, а при 580 ≤ р < 660 МПа існує складна полікритична область.

Influence of high hydrostatic pressure (patm ≤ p≤ 660 MPa) on the dielectric anomalies and dielectric loss tangent of layered TlInS2 crystals was studied. Pressure increase in the range patm ≤ р < 580 MPa is shown to result in a shift of the anomalies of dielectric constant and dielectric loss tangent towards higher temperatures, the variation of temperatures of the characteristic anomalies is observed to be linear. A complex polycritical region is shown to exist in the range 580 ≤ р < 660 MPa.