Please use this identifier to cite or link to this item:
https://dspace.uzhnu.edu.ua/jspui/handle/lib/36644
Full metadata record
DC Field | Value | Language |
---|---|---|
dc.contributor.author | Сидор, О. М. | - |
dc.date.accessioned | 2021-09-24T18:21:48Z | - |
dc.date.available | 2021-09-24T18:21:48Z | - |
dc.date.issued | 2005 | - |
dc.identifier.citation | Сидор, О. М. n + - n-InSe - n + фототранзистор на основі симетричного гетеропереходу / О. М. Сидор // Науковий вісник Ужгородського університету : серія: Фізика / редкол.: І.Небола (відпов. ред.), Д. Берча, Д. Блецкан та ін. – Ужгород : ПП "Шарк", 2005. – Вип. 17. – С. 95-98. – Рез. укр., англ. – Бібліогр.: с. 97 (4 назви) | uk |
dc.identifier.uri | https://dspace.uzhnu.edu.ua/jspui/handle/lib/36644 | - |
dc.description.abstract | Показано можливість виготовлення на основі InSe подвійного симетричного гетеропереходу оксид-InSe-оксид, усі компоненти якого мають n-тип провідності. Встановлено, що фототранзисторний ефект спостерігається в широкому діапазоні товщин бази: від 7 до 110 мкм. Значне підсилення фотоструму має місце лише для товщин, що співрозмірні з дифузійною довжиною неосновних носіїв заряду. Особливістю підсилення є перехід фототранзистора з високоомного в низькоомний стан лише при певних напругах i рівнях освітлення. У режимі перемикання досягається значна густина струму - 200 мА/см2. Чим вищий рівень освітлення, тим менша напруга перемикання. Фоточутливість структур зафіксовано в діапазоні довжин хвиль 0,6-1,0 мкм. | uk |
dc.description.abstract | A possibility of fabrication of an oxide-InSe-oxide double symmetric heterojunction all the components of which have n-type conductivity 1s shown. The phototransistor effect is found to be observed in a wide range of base thickness: from 7 up to 110 um. A considerable photocurrent amplification is realized only for the base sample thickness comparable to the minority carrier diffusion length. A specific feature of the amplification is that the transition of phototransistor from the high-resistance state to the low-resistance one takes place at fixed voltages and levels of illumimtion. In the switching mode a significant current density of about 200 mA/cm2 is attained. The higher is illumination level the lower becomes the transition voltage. Photosensitivity of the structures in the wavelength range of 0.6—1.0 um is shown. | uk |
dc.language.iso | uk | uk |
dc.publisher | ПП "Шарк" | uk |
dc.relation.ispartofseries | Фізика; | - |
dc.title | n + - n-InSe - n + фототранзистор на основі симетричного гетеропереходу | uk |
dc.title.alternative | n + - n-InSe - n + phototransistor on the base of a symmetric heterojunction | uk |
dc.type | Text | uk |
dc.pubType | Стаття | uk |
Appears in Collections: | Науковий вісник УжНУ Серія: Фізика. Випуск 17 - 2005 |
Files in This Item:
File | Description | Size | Format | |
---|---|---|---|---|
ФОТОТРАНЗИСТОР НА ОСНОВІ СИМЕТРИЧНОГО.pdf | 113.27 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.