Реферетивно-информационный обзор по материалам A2 IV B2 V C6 VI (І957-І99І г.г.)

Abstract

В обзоре приведены физические исследования сегнетоэлектрика-полупроводника Sn2 P2 S6. Анализируются температурные зависимости диэлектрической проницаемости, тангенса угла диэлектрических потерь, электропроводности,.ширины запрещенной зоны при атмосферном давлении. Приведена фазовая р-Т диаграмма Sn2 P2 S6 и анализируются изменения диэлектрических свойств Sn2 P2 S6 вдоль р-Т диаграммы. Основное место в обзоре занимают рефераты и тезисы публикаций по материалам A2IV B2V C6VI с 1957 по 1991 годы. Собраны все известные нам литературные источники (322 научные.публикации, представленные 218 соавторами). Для специалистов, а также лиц, интересующихся исследованием и применением сложных полупроводниковых соединений.