Взаємодія у квазіпотрійній системі Tl2Se–CdSe–SnSe2

Abstract

Досліджено характер фізико-хімічної взаємодії в системі Tl2Se–CdSe–SnSe2 методами РФА, ДТА та МСА. При 570 К в рівновазі знаходяться α-, β-, γ-, δ-, ε-, -, σ-тверді розчини на основі Tl2Se, CdSe, SnSe2, Tl4SnSe4, Tl2SnSe3, Tl2Sn2Se5 і НТМ-Tl2CdSnSe4, що кристалізується в тетрагональній сингонії (ПГ I-42m). Побудовано поверхню ліквідусу даної системи, до складу якої входять поля первинної кристалізації усіх твердих розчинів, а також -твердий розчин на основі ВТМ-Tl2CdSnSe4. Ці поля розділені 21 моноваріантними кривими та 19 нонваріантними точками. В системі протікає шість нонваріантних процесів: три перитектичні LU1+β↔+σ, LU2+β↔σ+γ, LU3+γ↔σ+ та три евтектичні LE1↔α+β+, LE2↔δ+ε+σ, LE3↔ε++σ та процеси, що повязані з фазовим переходом тетрарної фази σ↔σ. Двома квазібінарними перерізами Tl4SnSe4–CdSe та Tl2SnSe3–CdSe квазіпотрійна система Tl2Se–CdSe–SnSe2 тріангулююється на три вторинні квазіпотрійні підсистеми: Tl2Se–CdSe–Tl4SnSe4, Tl4SnSe4–CdSe–Tl2SnSe3 та Tl2SnSe3–CdSe–SnSe2, для яких побудовано просторові діаграми стану. В першій підсистемі протікає евтектичний процес E1 при 592 К; в другій підсистемі – перитектичний U1 при 680 К та евтектичний E2 при 665 К процеси. В третій підсистемі мають місце: два перитектичні U2 при 775 К та U3 при 696 К та евтектичний E3 при 643 К процеси; при 623 К знаходиться площина, що пов’язана з твердофазним розпадом сполуки Tl2Sn2Se5: ↔ε+γ.

The nature of physicochemical interaction in the Tl2Se–CdSe–SnSe2 system was investigated by X-ray diffraction, DTA and microstructure methods. The system at 570 K contains α-, β-, γ-, δ-, ε-, -, σ-solid solution ranges of Tl2Se, CdSe, SnSe2, Tl4SnSe4, Tl2SnSe3, Tl2Sn2Se5 and a lowtemperature modification of the quaternary compound Tl2CdSnSe4 that crystallizes in the tetragonal SG I-42m. The liquidus surface projection of this system includes the fields of the primary crystallization of all solid solutions, and -solid solution ranges of HT-modification of Tl2CdSnSe4. These fields are separated by 21 monovariant curves and 19 nonvariant points. Six nonvariant processes occur in this system: three peritectic LU1+β↔+σ, LU2+β↔σ+γ, LU3+γ↔ σ+ and three eutectic LE1↔α+β+, LE2↔δ+ε+σ, LE3↔ε++σ and the processes associated with the phase transition of the quaternary phase σ↔σ. Two quasi-binary sections Tl4SnSe4–CdSe and Tl2SnSe3–CdSe triangulate the quasi-ternary Tl2Se–CdSe–SnSe2 system into three subsystems, Tl2Se–CdSe–Tl4SnSe4, Tl4SnSe4–CdSe–Tl2SnSe3, and Tl2SnSe3–CdSe–SnSe2, for which spatial state diagrams were plotted. The eutectic process E1 takes place in the first subsystem at 592 K; the second subsystem features peritectic process U1 at 680 K and eutectic process E2 at 665 K. Two peritectic processes U2 at 775 K and U3 at 696 K and the eutectic process E3 at 643 K take place in the third subsystem; the plane at 623 K is associated with the solid-phase decomposition of the Tl2Sn2Se5 compound by reaction ↔ε+γ.