Ferroelectric multibit memory cells based on Sn2P2S6

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorBan, Henrietta
dc.contributor.authorGal, David
dc.contributor.authorHaysak, Andriy
dc.contributor.authorMolnar, Alexander
dc.date.accessioned2025-09-04T06:51:07Z
dc.date.issued2024-08-21
dc.descriptionConference abstract
dc.identifier.citationBan H., Gal D., Haysak A., Molnar A. Ferroelectric multibit memory cells based on Sn2P2S6. Internetional research and practice conference: "Nanotechnology and Nanomaterials" (NANO-2024), 21-24 of August, Uzhhorod, Ukraine, 2024, - p.365
dc.identifier.urihttps://dspace.uzhnu.edu.ua/handle/lib/76763
dc.language.isoen_US
dc.pubTypeТези до статті
dc.publisherUzhNU
dc.subjectFerroelectric
dc.subjectMemory cell
dc.titleFerroelectric multibit memory cells based on Sn2P2S6
dc.typeText

Файли

Контейнер файлів

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
2024_Nano_Uzhhorod.pdf
Розмір:
3.06 MB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Ліцензійна угода

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
6.33 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Зібрання

Наукові публікації кафедри фізики напівпровідників