Вирощування монокристалів Cu₇GeS₅I, Ag₇GeS₅I та твердих розчинів (Cu₁₋ₓAgₓ)₇GeS₅I

Abstract

Сполуки Cu₇GeS₅I та Ag₇GeS₅I належать до галогенхалькогенідних фаз зі структурою аргіродитута відомі як матеріали з високою катіонною провідністю у твердому стані. Актуальними як у фундаментальному, так і у прикладному аспектах є систематичні дослідження впливу катіонного заміщення на фізичні властивості при утворенні твердих розчинів на основі Cu₇GeS₅I та Ag₇GeS₅I.

Single crystals of quaternary compounds Cu₇GeS₅I, Ag₇GeS₅I were grown by the directional crystallization method, and (Cu₁₋ₓAgₓ)₇GeS₅I solid solutions have been grown by the vertical zone crystallization method. Lattice parameters of obtained crystals were carried out by XRD method. The optimum technological conditions for growing of single crystals have been developed.