Низькотемпературна діелектрична релаксація в кристалах типу Sn(2)P(2)S(6)
Дата
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
Видавництво УжНУ "Говерла"
Анотація
Досліджено природу діелектричної аномалії в кристалі Sn2P2S6, що має
місце в температурному інтервалі 150-250 К. Встановлено, що діелектрична
аномалія має релаксаційний характер і обумовлена переважно нелінійною
складовою в діелектричному відгуку доменних стінок. Із аналізу поведінки
комплексу фізичних властивостей кристала Sn2P2S6 в даній температурній
області робиться припущення, що аномальна поведінка релаксаційного відгуку
доменної структури є наслідком різкого зростання ангармонізму кристалічної
гратки.
Ключові слова: діелектрична проникність, сегнетоелектрики, діелектрич-
на аномалія, нематична фаза, ангармонізм, поляризація.
Опис
The nature of dielectric anomaly observed in Sn2P2S6 crystal in the temperature
range 150-250 K was studied. It has been found that the anomaly has relaxation
character and it is predominantly caused by non linear contribution in dielectric
response of domain walls. Analyzing behavior of physical properties of Sn2P2S6
crystal in the given temperature range it is suggested that the anomalous behavior of
the dielectric response of the domain structure resulted from sharp increase in
unharmonicity of the crystal structure.
Keywords: permittivity, ferroelectrics, dielectric anomaly, nematic phase,
anharmonicity, polarization.
Тип публікації
Text
Тип текстової публікації
Стаття
ISSN
Ключові слова
діелектрична проникність, сегнетоелектрики, діелектрична аномалія, нематична фаза, ангармонізм, поляризація
Бібліографічний опис
Низькотемпературна діелектрична релаксація в кристалах типу Sn(2)P(2)S(6) [Текст] / М. М. Медулич, М. М. Майор, А. А. Когутич, С. Ф. Мотря // Науковий вісник Ужгородського університету : Серія: Фізика / ред. кол. : В. Різак (відп. ред.), В. Біланич, Ю. Височанський, О. Грабар. – Ужгород : Говерла, 2013. – Вип. 34. – С. 22–27. – Бібліогр.: с. 26 (12 назв).