Вплив електронного та гамма-опромінення на діелектричні властивості кристалів Sn2P2S6
Дата
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
Видавництво УжНУ
Анотація
У роботі представлені результати досліджень впливу опромінення високоенергетичними ? - і ? - частинками нелегованих кристалів Sn2P2S6 на їх діелектричні спектри. Встановлено, що отримані відмінності в діелектричних спектрах, викликані опроміненням, є нестабільними, і демонструють повільні зміни в початковий стан протягом 2-3 тижнів. При цьому вплив ?- і ?- опромінення на діелектричні властивості кристалів Sn2P2S6 суттєво відрізняється від результатів освітлення інтенсивним білим світлом.
Опис
У роботі представлені результати досліджень впливу опромінення високоенергетичними ? - і ? - частинками нелегованих кристалів Sn2P2S6 на їх діелектричні спектри. Встановлено, що отримані відмінності в діелектричних спектрах, викликані опроміненням, є нестабільними, і демонструють повільні зміни в початковий стан протягом 2-3 тижнів. При цьому вплив ?- і ?- опромінення на діелектричні властивості кристалів Sn2P2S6 суттєво відрізняється від результатів освітлення інтенсивним білим світлом.
Тип публікації
Text
Тип текстової публікації
Стаття
ISSN
Ключові слова
діелектричний спектр, Sn2P2S6, сегнетоелектрик, радіаційне опромінення
Бібліографічний опис
Вплив електронного та гамма-опромінення на діелектричні властивості кристалів Sn2P2S6 / О.О.Молнар, Г.В.Васильєва, І.І.Гайсак, М.Т.Саболчій, І.М.Стойка, О.О.Грабар // Uzhhorod University Scientific Herald. Series Physics, Issue 40. – 2016, с. 13-17.