Край поглинання та фазова р,Т-діаграма сегнетиелектрика CuInP2(Se0.1S0.9)6

Abstract

Досліджено вплив температури та гідростатичного тиску на край оптичного поглинання кристалів-сегнетиелектриків CuInP2(Se0.1S0.9)6. Показано, що край поглинання формується у високоенергетичній частині за правилом Урбаха, а в низькоенергетичній – непрямими оптичними переходами. Визначені енергії фононів, які приймають участь у формуванні краю поглинання. За виявленими аномаліями краю поглинання поблизу фазового переходу при різних тисках і температурах побудована р,Т-діаграма кристалу CuInP2(Se0.1S0.9)6. Вона свідчить про належність фазового переходу до переходів типу лад-безлад.

Influence of temperature and hydrostatic pressure upon the edge of optical absorption of ferrielectric crystals CuInP2(Se0.1S0.9)6 have been under investigation in the present research. It is registered that absorption edge is formed in high-energetic part according to the rule of Urbakh, and in low-energetic – indirect optical transitions. The energy of phonons are determined that participate in formation of absorption edge. In accordance with detected anomalies absorption edge near the phase transition at different pressures and temperatures p,T-diagram of crystal CuInP2(Se0.1S0.9)6 is built. It testifies about appliance of phase transition to transition of order-disorder-type.