Електрон-фотонна емісія As2S3

Abstract

Методом електрон-фотонної спектроскопії досліджено взаємодію електронів середніх енергій з поверхнею плівок As2S3. Пояснено виявлені особливості в отриманих спектрах. Обчислено абсолютний вихід фотонів з поверхні плівок As2S3, напорошених на поверхню кремнію та скла марки К-8, при бомбардуванні електронами з енергією 450 еВ в діапазоні довжин хвиль 200-800 нм, який становить відповідно N1= 7,57*10-4 фот./нм·ел. і N2= 1,75*10-3 фот./нм·ел.

By the method of electron-photon spectroscopy was investigated interaction medium energy electrons with surface As2S3 films. The revealed features in the received spectra are explained. The absolute output of photons from a surface of As2S3 films, deposited on surface of silicon and K-8 glass, at bombardment by electrons with energy 450 eV in a range of wave-length 200-800 nanometers which makes N1= 7,57*10-4 phot./nm·el. and N2=1,75*10-3 phot./nm·el. is calculated.