Вплив технологічного модифікування на рефрактометричні властивості склоподібного As2S5

Abstract

Досліджено вплив умов синтезу на оптико-рефрактометричні (ОР) властивості склоподібного As2S5. Розраховано значення ОР-квазіконстант ηs, характеристичних енергій дисперсії Es і долі іонності зв’язку f в ОР-шкалі. За зміною квазіконстанти η2 зроблено висновок про оптимальні умови синтезу склоподібного As2S5.

Исследовано влияние условий синтеза на оптико-рефрактометрические свойства стеклообразного As2S5. Рассчитаны значения ОР-квазиконстант ηs, характеристических энергий дисперсии Es и величины ионности связей в ОР-шкале. По изменению квазиконстанты η2 сделано вывод об оптимальных условиях синтеза стеклообразного As2S5.

Purpose: Determine the effect of synthesis conditions As2S5 glass in its optical-refractometric (OR) properties. Methods: The synthesis was carried out with glassy As2S5 elementary component cleanliness "OSCH" B-5 melt at different temperatures (Т1=820 K; Т2=1070 К; Т3=1320 К) and cooling speeds (V1=10-2 K / s, V2=1,5 K / s; V3=1,5∙102 K / s). Dispersion of the refractive index determined using temperature refractometric system based on optical divisional heads ODG-10. Results: The paper presents the results of a study of dispersion of the refractive index of the vitreous As2S5, obtained under different synthesis conditions. The values OP-quasi constant ηs, characteristic energy dispersion Es and fate ionicity due to f in OP -scale agents for vitreous samples studied. Show that the value of the degree of ionicity fi connections varies between 46% (synthesis conditions Т1V1) to 48% (synthesis conditions Т1V2). Conclusion: The changes quasi constant η2 concluded that the optimum temperature synthesis vitreous Аs2S5 temperature is Т2 = 1070 K and the melt cooling rate V2 = 1,5 K / s. From the analysis of experimental and theoretical data molar refraction shown that knowing the value of band gap Eg, density d, molecular weight μ enough to measure the refractive index n for some fixed wavelength λ, it will help with accuracy of ± 2% to calculate the value of n in field of transparency of the material.