Електронна структура Ag2SiS3

Abstract

Впервые ab initio методом функционала плотности в LDA и LDA+U- приближениях рассчитаны энергетическая зонная структура, полная и парциальные плотности состояний кристалла Ag2SiS3. Данный кристалл является непрямозонным полупроводником с рассчитанной в LDA+U- приближении шириной запрещенной зоны Egd = 2.55 эВ. Валентная зона Ag2SiS3 содержит четыре энергетически обособленные связки заполненных зон. Особенностью строения электронно-энергетической структуры кристалла Ag2SiS3 является гибридизация d-состояний атомов Ag, с делокализованными валентными состояниями p-симметрии атомов серы в относительной близости к вершине валентной зоны.

Interest in the study of crystalline and glassy Ag2SiS3 caused by the presence of high ionic conductivity, the nature of which has been not proper explained. Very useful in this regard can be the calculation of Ag2SiS3 electronic structure, knowledge of which will help to establish the nature of the chemical bonding between Ag and S, which is necessary for a better understanding of the glass local structure and the mechanism of ion conductivity.