Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
https://dspace.uzhnu.edu.ua/jspui/handle/lib/23145Повний запис метаданих
| Поле DC | Значення | Мова |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Староста, Володимир Іванович | - |
| dc.contributor.author | Кроутіл, Ян | - |
| dc.contributor.author | Бенеш, Людвіг | - |
| dc.date.accessioned | 2018-12-22T17:32:43Z | - |
| dc.date.available | 2018-12-22T17:32:43Z | - |
| dc.date.issued | 1990 | - |
| dc.identifier.citation | Starosta V.I., Kroutil J., Benes L. Preparation and Fundamental Physical Properties of Sn2SbS2I3 and Pb2SbS2I3 Сompounds // Сrystal research and technology. Volume25, Issue12 (1990). P. 1439-1442 | uk |
| dc.identifier.uri | https://doi.org/10.1002/crat.2170251214 | - |
| dc.identifier.uri | https://dspace.uzhnu.edu.ua/jspui/handle/lib/23145 | - |
| dc.description.abstract | The oriented ingots of isostructural compounds Sn2SbS2I3 and Pb2SbS2I3 were prepared using a modified Bridgman method. The lattice parameters of the prepared orthorhombic compounds have been determined by a X‐ray powder diffraction analysis. From the spectral response of the photoconductivity the following values for the forbidden zone of the prepared sulfides‐iodides were found: Eg(Sn2SbS2I3) 1.5 eV, Eg(Pb2SbS2I3) = 2.0 eV. | uk |
| dc.language.iso | en | uk |
| dc.subject | монокристали, фізичні властивості, фотопровідність | uk |
| dc.title | Preparation and Fundamental Physical Properties of Sn2SbS2I3 and Pb2SbS2I3 Сompounds | uk |
| dc.type | Text | uk |
| dc.pubType | Стаття | uk |
| Розташовується у зібраннях: | Наукові публікації кафедри загальної педагогіки та педагогіки вищої школи | |
Файли цього матеріалу:
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.