Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
https://dspace.uzhnu.edu.ua/jspui/handle/lib/2592Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Гедеон, Віктор Федорович | - |
| dc.date.accessioned | 2015-06-10T08:15:21Z | - |
| dc.date.available | 2015-06-10T08:15:21Z | - |
| dc.date.issued | 2012 | - |
| dc.identifier.citation | Гедеон, В. Ф. Розсіяння електронів на іоні Si– [Текст] / В. Ф. Гедеон // Науковий вісник Ужгородського університету : Серія: Фізика / ред. кол. : В. Різак (відп. ред.), В. Біланич, Ю. Височанський, О. Грабар. – Ужгород: Говерла, 2012. – Вип. 31. – C. 129–135. – Рез. англ., рос. – Бібліогр.: с. 133–134 (26 назв). | uk |
| dc.identifier.uri | https://dspace.uzhnu.edu.ua/jspui/handle/lib/2592 | - |
| dc.description | The B-spline R-matrix method is used to investigate the electron-impact scattering on the negative ion of silicon in the energy regions up to 100 eV. The multiconfiguration Hartree- Fock method with non-orthogonal orbitals is employed for an accurate representation of the target wave functions. The e + Si− scattering integral cross sections are calculated for all transitions between bound 1s22s22p63s23p3 4So, 2Do, and 2Po states of negative ion. The 3Dsuface of energy-angle dependence of correspond differential cross sections are presented. Key words: negative ion of silicon, electron scattering, R-matrix, B-spline, the integral and differential cross sections. | uk |
| dc.description.abstract | У рамках методу R-матриці з B-сплайнами досліджено процеси розсіяння елек- тронів на від’ємному іоні кремнію в області енергій до 100 еВ. Для точного пред- ставлення хвильових функцій мішені використовувався багатоконфігураційний метод Хартрі-Фока з неортогональними орбіталями. Розраховано інтегральні пе- рерізи розсіяння e + Si− для всіх переходів між зв’язаними станами 1s22s22p63s23p3 4So, 2Do та 2Po від’ємного іона. Представлено 3D-поверхні енергетично-кутових залежностей відповідних диференціальних перерізів розсіяння. Ключові слова: від’ємний іон кремнію, розсіяння електронів, R-матриця, B- сплайни, інтегральні та диференціальні перерізи. | uk |
| dc.language.iso | uk | uk |
| dc.publisher | Видавництво УжНУ "Говерла" | uk |
| dc.relation.ispartofseries | Фізика; | - |
| dc.subject | від’ємний іон кремнію | uk |
| dc.subject | розсіяння електронів | uk |
| dc.subject | R-матриця | uk |
| dc.subject | B- сплайни | uk |
| dc.subject | інтегральні та диференціальні перерізи | uk |
| dc.title | Розсіяння електронів на іоні Si(–) | uk |
| dc.title.alternative | Electron scattering on S(i)− ion | uk |
| dc.type | Text | uk |
| Располагается в коллекциях: | Науковий вісник УжНУ Серія: Фізика. Випуск 31 - 2012 | |
Файлы этого ресурса:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| РОЗСІЯННЯ ЕЛЕКТРОНІВ НА ІОНІ Si−.pdf | 771.36 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.