Розсіяння електронів на іоні Si(–)

Гедеон, Віктор Федорович

Please use this identifier to cite or link to this item: https://dspace.uzhnu.edu.ua/jspui/handle/lib/2592

Full metadata record

DC Field	Value	Language
dc.contributor.author	Гедеон, Віктор Федорович	-
dc.date.accessioned	2015-06-10T08:15:21Z	-
dc.date.available	2015-06-10T08:15:21Z	-
dc.date.issued	2012	-
dc.identifier.citation	Гедеон, В. Ф. Розсіяння електронів на іоні Si– [Текст] / В. Ф. Гедеон // Науковий вісник Ужгородського університету : Серія: Фізика / ред. кол. : В. Різак (відп. ред.), В. Біланич, Ю. Височанський, О. Грабар. – Ужгород: Говерла, 2012. – Вип. 31. – C. 129–135. – Рез. англ., рос. – Бібліогр.: с. 133–134 (26 назв).	uk
dc.identifier.uri	https://dspace.uzhnu.edu.ua/jspui/handle/lib/2592	-
dc.description	The B-spline R-matrix method is used to investigate the electron-impact scattering on the negative ion of silicon in the energy regions up to 100 eV. The multiconfiguration Hartree- Fock method with non-orthogonal orbitals is employed for an accurate representation of the target wave functions. The e + Si− scattering integral cross sections are calculated for all transitions between bound 1s22s22p63s23p3 4So, 2Do, and 2Po states of negative ion. The 3Dsuface of energy-angle dependence of correspond differential cross sections are presented. Key words: negative ion of silicon, electron scattering, R-matrix, B-spline, the integral and differential cross sections.	uk
dc.description.abstract	У рамках методу R-матриці з B-сплайнами досліджено процеси розсіяння елек- тронів на від’ємному іоні кремнію в області енергій до 100 еВ. Для точного пред- ставлення хвильових функцій мішені використовувався багатоконфігураційний метод Хартрі-Фока з неортогональними орбіталями. Розраховано інтегральні пе- рерізи розсіяння e + Si− для всіх переходів між зв’язаними станами 1s22s22p63s23p3 4So, 2Do та 2Po від’ємного іона. Представлено 3D-поверхні енергетично-кутових залежностей відповідних диференціальних перерізів розсіяння. Ключові слова: від’ємний іон кремнію, розсіяння електронів, R-матриця, B- сплайни, інтегральні та диференціальні перерізи.	uk
dc.language.iso	uk	uk
dc.publisher	Видавництво УжНУ "Говерла"	uk
dc.relation.ispartofseries	Фізика;	-
dc.subject	від’ємний іон кремнію	uk
dc.subject	розсіяння електронів	uk
dc.subject	R-матриця	uk
dc.subject	B- сплайни	uk
dc.subject	інтегральні та диференціальні перерізи	uk
dc.title	Розсіяння електронів на іоні Si(–)	uk
dc.title.alternative	Electron scattering on S(i)− ion	uk
dc.type	Text	uk
Appears in Collections:	Науковий вісник УжНУ Серія: Фізика. Випуск 31 - 2012

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
РОЗСІЯННЯ ЕЛЕКТРОНІВ НА ІОНІ Si−.pdf		771.36 kB	Adobe PDF	View/Open

Show simple item record