Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: https://dspace.uzhnu.edu.ua/jspui/handle/lib/2620
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorМедулич, М.М.-
dc.contributor.authorМайор, М.М.-
dc.contributor.authorКогутич, Антон Антонович-
dc.contributor.authorМотря, С.Ф.-
dc.date.accessioned2015-06-11T09:08:54Z-
dc.date.available2015-06-11T09:08:54Z-
dc.date.issued2013-
dc.identifier.citationНизькотемпературна діелектрична релаксація в кристалах типу Sn(2)P(2)S(6) [Текст] / М. М. Медулич, М. М. Майор, А. А. Когутич, С. Ф. Мотря // Науковий вісник Ужгородського університету : Серія: Фізика / ред. кол. : В. Різак (відп. ред.), В. Біланич, Ю. Височанський, О. Грабар. – Ужгород : Говерла, 2013. – Вип. 34. – С. 22–27. – Бібліогр.: с. 26 (12 назв).uk
dc.identifier.urihttps://dspace.uzhnu.edu.ua/jspui/handle/lib/2620-
dc.descriptionThe nature of dielectric anomaly observed in Sn2P2S6 crystal in the temperature range 150-250 K was studied. It has been found that the anomaly has relaxation character and it is predominantly caused by non linear contribution in dielectric response of domain walls. Analyzing behavior of physical properties of Sn2P2S6 crystal in the given temperature range it is suggested that the anomalous behavior of the dielectric response of the domain structure resulted from sharp increase in unharmonicity of the crystal structure. Keywords: permittivity, ferroelectrics, dielectric anomaly, nematic phase, anharmonicity, polarization.uk
dc.description.abstractДосліджено природу діелектричної аномалії в кристалі Sn2P2S6, що має місце в температурному інтервалі 150-250 К. Встановлено, що діелектрична аномалія має релаксаційний характер і обумовлена переважно нелінійною складовою в діелектричному відгуку доменних стінок. Із аналізу поведінки комплексу фізичних властивостей кристала Sn2P2S6 в даній температурній області робиться припущення, що аномальна поведінка релаксаційного відгуку доменної структури є наслідком різкого зростання ангармонізму кристалічної гратки. Ключові слова: діелектрична проникність, сегнетоелектрики, діелектрич- на аномалія, нематична фаза, ангармонізм, поляризація.uk
dc.language.isoukuk
dc.publisherВидавництво УжНУ "Говерла"uk
dc.relation.ispartofseriesФізика;-
dc.subjectдіелектрична проникністьuk
dc.subjectсегнетоелектрикиuk
dc.subjectдіелектрична аномаліяuk
dc.subjectнематична фазаuk
dc.subjectангармонізмuk
dc.subjectполяризаціяuk
dc.titleНизькотемпературна діелектрична релаксація в кристалах типу Sn(2)P(2)S(6)uk
dc.title.alternativeLow-temperature dielectric relaxation in crystals of Sn(2)P(2)S(6)uk
dc.typeTextuk
dc.pubTypeСтаттяuk
Располагается в коллекциях:2013 / Науковий вісник УжНУ. Серія: Фізика. Випуск 34

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
НИЗЬКОТЕМПЕРАТУРНА ДІЕЛЕКТРИЧНА.pdf302.42 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.