Please use this identifier to cite or link to this item:
https://dspace.uzhnu.edu.ua/jspui/handle/lib/35230
Full metadata record
DC Field | Value | Language |
---|---|---|
dc.contributor.author | Бунда, Віктор Варфоломійович | - |
dc.contributor.author | Гасинець, С. М. | - |
dc.contributor.author | Гурзан, М. І., | - |
dc.contributor.author | Микайло, О. А. | - |
dc.date.accessioned | 2021-05-24T16:32:29Z | - |
dc.date.available | 2021-05-24T16:32:29Z | - |
dc.date.issued | 2002 | - |
dc.identifier.citation | Тензиметричні дослідження кристалів Sn2Р2S6 / В. В. Бунда, С. М. Гасинець, М. І. Гурзан, О. А. Микайло // Науковий вісник Ужгородського університету : серія: Фізика / редкол.: І. Небола (відпов. ред.), Д. Блецкан, О. Герзанич та ін. – Ужгород : УжНУ, 2002. – Вип. 11. – C. 141-145. – Бібліогр.: с. 144 (8 назв) | uk |
dc.identifier.uri | https://dspace.uzhnu.edu.ua/jspui/handle/lib/35230 | - |
dc.description.abstract | Досліджувалися залежності тиску насичених парів напівпровідника-сегнетоелектрика Sn2P2S6 (гексатіогіподифосфата олова ) в інтервалі температур 500-1500 К. Уточнені області фазових перетворень даної сполуки. Показано, що в інтервалі температур 500-699 К термічна дисоціація проходить з утворенням сполуки SnS, а вінтервалі 699- 930 К - з утворенням SnS2. Рекомендовано технологічні режи-ми вирощування монокристалів Sn2P2S6 методом ХТР (хімічних транспортних реакцій). | uk |
dc.description.abstract | The temperature studies of saturated vapour pressure in SnP2S, ferroelectric- semiconductors in the temperature range of 500-1500 K were carried out. The phase transition regions on the T-x phase diagram were specificd. It has been shown that the thermal dissociation at temperatures 500-699 K is accompanied with formation of SnS compound and at temperatures 699- 930 K is accompanied with formation of SnS2 compound . The growing conditions for Sn2P2S6, crystals with vapour transport technique were defined. | uk |
dc.language.iso | uk | uk |
dc.publisher | Редакційно-видавнича рада Ужгородського національного університету | uk |
dc.relation.ispartofseries | Фізика; | - |
dc.title | Тензиметричні дослідження кристалів Sn2Р2S6 | uk |
dc.title.alternative | The tenzimetrical investigations of Sn2Р2S6 crystals | uk |
dc.type | Text | uk |
dc.pubType | Стаття | uk |
Appears in Collections: | Науковий вісник УжНУ Серія: Фізика. Випуск 11 (2002) |
Files in This Item:
File | Description | Size | Format | |
---|---|---|---|---|
ТЕНЗИМЕТРИЧНІ ДОСЛІДЖЕННЯ.pdf | 337.85 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.