Пьезоэлектрические свойства монокристаллов Sn2P2S6

Abstract

Проведены исследования зависимостей гидростатического динамического пьезоэлектрического коэффициентов ( d h d , ) и ( gh d , ) от давления при различных фиксированных температурах на участке (260–330) К. Установлены зависимости ( d h d , ) и ( gh d , ) от давления и температуры. Обнаружены аномалии коэффициентов A(T), B(T), C(T) в зависимостях d h,d (p) =A + B×p =A(1+C×p) , при Т1≈315 К и Т2≈291 К. Установлено, что пьезоэлектрические элементы кристаллов Sn2P2S6 имеют высокие параметры ( d h d , ) и ( gh d , ). Это позволяет применять их в качестве пьезоэлектрических сенсоров в широком диапазоне температур и давлений.

Investigations of the pressure dependence of hydrostatic dynamic piezoelctric coefficients ( d h d , ) and ( gh d , ) at various temperatures in the interval of (260-330)K are made. Pressure and temperature dependences of ( d h d , ) and ( gh d , ) are established. Some anomalies are observed of the coefficients A(T), B(T), C(T) in dependence d h,d (p) = A + B× p = A(1+ C× p) at temperatures Т1≈315 К and Т2≈291 К. It is determined, that piezoelectric elements of Sn2P2S6 crystals have large values of ( d h d , ) and ( gh d , ).. That allows us to use them as piezoelectric sensors in a wide temperature and pressure range.