Please use this identifier to cite or link to this item: https://dspace.uzhnu.edu.ua/jspui/handle/lib/39471
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorМайор, М. М.-
dc.contributor.authorМолнар, Шандор Берталонович-
dc.contributor.authorВисочанський, Юліан Миронович-
dc.contributor.authorПоторій, М. В.-
dc.contributor.authorПріц, І. П.-
dc.date.accessioned2022-02-28T19:59:42Z-
dc.date.available2022-02-28T19:59:42Z-
dc.date.issued1999-
dc.identifier.citationВплив умов вирощування на діелектричні та електрофізичні властивості кристалів Sn2P2S6 / М. М. Майор, Ш. Б. Молнар, Ю. М. Височанський [та ін.] // Науковий вісник Ужгородського університету : Серія: Хімія / редкол.: С.Ю. Чундак (гол. ред.), В.І. Гомонай, Н.П. Голуб та ін. – Ужгород : Поличка "Карпатського краю", 1999. – Вип. 4. – С. 30-34. – Рез. англ. – Бібліогр.: с. 34 (6 назв)uk
dc.identifier.issn0869-0782-
dc.identifier.urihttps://dspace.uzhnu.edu.ua/jspui/handle/lib/39471-
dc.descriptionhttps://drive.google.com/file/d/1YpBBrhryp5xoLtugkWJauCFynTFhqaRq/view?usp=sharinguk
dc.description.abstractThe cause of unconstancies of the dielectric parameters of Sn2P2S6 single crystals have been inves- tigated It was found, that it is the result of the changing of stoichometric correlation in the processes of growth. It is suppose, that the increasing of conductivity and tgd may be caused by the defect of Sn in Sn2P2S6 single crystals.uk
dc.language.isoukuk
dc.publisherПоличка "Карпатського краю"uk
dc.relation.ispartofseriesХімія;-
dc.titleВплив умов вирощування на діелектричні та електрофізичні властивості кристалів Sn2P2S6uk
dc.title.alternativeThe influence of growth conditions on phisical properties of Sn2P2S6 single crystalsuk
dc.typeTextuk
dc.pubTypeСтаттяuk
Appears in Collections:Науковий вісник УжНУ Серія Хімія Випуск 4 1999

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Титулка_Хімія. Вип. 4 - 1999.pdf424.17 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.