Please use this identifier to cite or link to this item:
https://dspace.uzhnu.edu.ua/jspui/handle/lib/41771
Full metadata record
DC Field | Value | Language |
---|---|---|
dc.contributor.author | Гомоннай, А. А. | - |
dc.contributor.author | Гуранич, Павло Павлович | - |
dc.contributor.author | Сливка, А. Г. | - |
dc.contributor.author | Риган, М. Ю. | - |
dc.contributor.author | Роман, И. Ю. | - |
dc.date.accessioned | 2022-06-06T10:28:29Z | - |
dc.date.available | 2022-06-06T10:28:29Z | - |
dc.date.issued | 2009 | - |
dc.identifier.citation | Гомоннай А. А. Барическое поведение пироэлектрического коэффициента в слоистых кристаллах TlInS2 и TlGaSe2 / А. А. Гомоннай, П. П. Гуранич, А. Г. Сливка, М. Ю. Риган, И. Ю. Роман // Физика и техника высоких давлений. - 2009. - Т. 19, № 1. - С. 151-156. | uk |
dc.identifier.uri | https://dspace.uzhnu.edu.ua/jspui/handle/lib/41771 | - |
dc.description.abstract | Изучено влияние гидростатического давления на пироэлектрические свойства слоистых кристаллов TlInS2 и TlGaSe2. Характер барического поведения температур фазовых переходов в этих кристаллах подтверждает, что сегнетоэлектрические переходы относятся к типу порядок - беспорядок. Результаты барических исследований зависимостей пироэлектрического коэффициента <$E gamma (T)> и изменение характера зависимости температуры сегнетоэлектрического перехода при увеличении гидростатического давления свидетельствуют о наличии сложной поликритической области в диапазоне 580 <$E symbol Г~p~symbol Г~660> МПа на фазовой p, T-диаграмме слоистых кристаллов TlInS2. | uk |
dc.language.iso | ru | uk |
dc.relation.ispartofseries | Физика и техника высоких давлений; | - |
dc.title | Барическое поведение пироэлектрического коэффициента в слоистых кристаллах TlInS2 и TlGaSe2 | uk |
dc.type | Text | uk |
dc.pubType | Стаття | uk |
Appears in Collections: | Наукові публікації кафедри оптики |
Files in This Item:
File | Description | Size | Format | |
---|---|---|---|---|
PhTVD_2009_19_1_17.pdf | 358.07 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.