Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
https://dspace.uzhnu.edu.ua/jspui/handle/lib/5147Повний запис метаданих
| Поле DC | Значення | Мова |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Mitsa, V.M. | - |
| dc.contributor.author | Holomb, R.M. | - |
| dc.contributor.author | Petretskij, S. | - |
| dc.contributor.author | Katuna, Yu. | - |
| dc.contributor.author | Feher, A. | - |
| dc.contributor.author | Veresh, M. | - |
| dc.contributor.author | Міца, Володимир Михайлович | uk |
| dc.date.accessioned | 2015-12-09T23:46:03Z | - |
| dc.date.available | 2015-12-09T23:46:03Z | - |
| dc.date.issued | 2015 | - |
| dc.identifier.citation | V. Mitsa,R. Holomb, S. Petretskij, Yu. Katuna, A. Feher, M. Veres. Influence nanophaze realgar inclusion on photoaging and thermoconductivity of gAs2S3prepared in different technological regime // Збірник тез доповідей Міжнародної науково-практичної конференції "Актуальні проблеми наукового й освітнього простору в умовах поглиблення євроінтеграційних процесів", Мукачево, Україна, 14-15 травня 2015. - Т.1, с. 348-350. | uk |
| dc.identifier.uri | https://dspace.uzhnu.edu.ua/jspui/handle/lib/5147 | - |
| dc.description.abstract | Influence nanophaze realgar inclusion on photoaging and thermoconductivity of gAs2S3 prepared in different technological regime | uk |
| dc.language.iso | en | uk |
| dc.subject | gAs2S3 | uk |
| dc.subject | photoaging and thermoconductivit | uk |
| dc.title | Influence nanophaze realgar inclusion on photoaging and thermoconductivity of gAs2S3prepared in different technological regime | uk |
| dc.type | Text | uk |
| dc.pubType | Тези до статті | uk |
| Розташовується у зібраннях: | Наукові публікації кафедри інформатики та фізико-математичних дисциплін Наукові публікації кафедри інформаційних управляючих систем та технологій | |
Файли цього матеріалу:
| Файл | Опис | Розмір | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| MDU_2015_2.pdf | 7.72 MB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.