Про температурну залежність питомого електричного опору та відносного температурного коефіцієнта електричного опору, поблизу температури сегнетоелектричного фазового переходу для монокристала сегнетонапівпровідника Sn2P2S6

Abstract

У даній роботі наведено результати досліджень температурних залежностей питомого електричного опору ρ(Т) при нагріванні та при охолодженні в інтервалі температур 290 – 453 K для сегнетонапівпровідника монокристалa Sn2P2S6. Установлено, що залежність ρ(Т) в околі температури ТС сегнетоелектричного фазового переходу (СЕФП) можна розбити на три ділянки. Ділянка сегнетоелектричної фази (СЕФ) (fe), ділянка параелектричної фази (ПЕФ) один (pa1), котра лежить впритул до температури ТС, та ділянка параелектричної фази (ПЕФ) два (pa2), котра лежить за ділянкою ПЕФ один (pa1). Запропонованi алгебраїчні рівняння, які описують залежності ρ(Т) та α(Т). Для СЕФ поблизу ТС та ПЕФ два (ра2) залежності ρ(Т) описуються рівнянням, ()32/11)(PPTPT−⋅=ρ, а для ПЕФ один (ра1) – ()32/11)(PPTPT+−⋅=ρ, де P1, P2, P3 – параметри апроксимації, відповідно. Досліджено та встановлено температурні залежності ρ(Т) та температурні залежності відносного температурного коефіцієнта питомого електричного опору α(Т). Установлені рівняння та параметри, які описують ρ(Т) та α(Т).

This work presents the results of research on the temperature dependences of the specific electrical resistance ρ(Т) upon heating and upon cooling in the temperature range of 290 to 453 K for the ferroelectric single crystal Sn2P2S6. It was established that the ρ(Т) dependence in the vicinity of the temperature TC of the ferroelectric phase transition (FPT) can be separated into three sections. The section of the ferroelectric phase (FP), (fe), the section of the paraelectric phase (PP) one (pa1) that lies close to the temperature TC, and the section of the paraelectric phase (PP) two (pa2) that lies behind the section of PP one (pa1). Algebraic equations describing the ρ(Т) and α(Т) dependences are proposed. For FP near TC and PP two (pa2), the ρ(T) dependences are described by the equations ()32/11)(PPTPT−⋅=ρ, and for PP one (pa1) – ()32/11)(PPTPT+−⋅=ρ, where P1, P2, P3 are the approximation parameters, respectively. The α(Т) temperature dependences of the relative temperature coefficient of the specific electrical resistance were investigated and ascertained. Equations and parameters describing ρ(Т) and α(Т) were ascertained.