1. Електронний репозитарій ДВНЗ "УжНУ"
  2. Факультети
  3. Фізичний факультет
  4. Кафедра фізики напівпровідників
  5. Наукові публікації кафедри фізики напівпровідників
Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: https://dspace.uzhnu.edu.ua/jspui/handle/lib/61524
Повний запис метаданих
Поле DCЗначенняМова
dc.contributor.authorМолнар, Александр-
dc.contributor.authorГорват, Андрей-
dc.contributor.authorВысочанский, Юлиан-
dc.contributor.authorНаконечный, Юрий-
dc.date.accessioned2024-04-26T09:25:30Z-
dc.date.available2024-04-26T09:25:30Z-
dc.date.issued1997-
dc.identifier.citationРелаксационное изменение характера фазового перехода в сегнетоэлектрике-полупроводнике Sn2P2S6 / А. А. Молнар, А. А. Горват, Ю. М. Высочанский, Ю. С. Наконечный. // Известия Академии Наук, Серия Физическая. – 1997. – T.61, №2. – С. 263–267.uk
dc.identifier.urihttps://dspace.uzhnu.edu.ua/jspui/handle/lib/61524-
dc.language.isoruuk
dc.publisherРАНuk
dc.subjectРелаксационное изменениеuk
dc.subjectфазовый переходuk
dc.subjectсегнетоэлектрикиuk
dc.titleРелаксационное изменение характера фазового перехода в сегнетоэлектрике-полупроводнике Sn2P2S6uk
dc.typeTextuk
dc.pubTypeСтаттяuk
Розташовується у зібраннях:Наукові публікації кафедри фізики напівпровідників

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
1997_IzvAN_Релаксационное изменение характера фазового перехода.pdfarticle3.41 MBAdobe PDFПереглянути/Відкрити
Показати базовий опис матеріалу Перегляд статистики


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.