Туннелирование электронов через нестационарный, несимметричный туннельный переход.

Abstract

Магнитные туннельные переходы обладают гигантским магнитным сопротивлением при комнатной температуре. Большой интерес вызывает исследование высокочастотных свойств магнитных туннельных переходов, находящихся под действием постоянного и переменного напряжений смещения. Исследование физических процессов, происходящих в нестационарных магнитных туннельных переходах, имеет большое значение для создания новых типов высокочастотных спинтронных приборов. Ключевые слова: магнитное сопротивление, туннельный переход.

In this paper we investigate tunneling of electrons through a non-stationary nonsymmetric magnetic tunnel junction (MTJ) in the approximation of small amplitude of a.c. bias voltage. We study the influence of non-symmetry of MTJ potential barrier on the effect of giant tunneling magnetoimpedance. In addition we analyze the effect of potential barrier width and d.c. bias voltage value on the frequency dependence of giant tunneling magnetoimpedance. Key words: magnetic resistance, tunneling.