Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: https://dspace.uzhnu.edu.ua/jspui/handle/lib/10258
Назва: Laser induced mass transport in As-S chalcogenide nanolayers as a basis for novel active functional optics and ultrafast photonics
Автори: Holomb, R.M.
Veres, M.
Czitrovszky, A.
Kondrat, O.
Mitsa, V.M.
Csik, A.
Vondráček, M.
Міца, Володимир Михайлович
Ключові слова: photonics, light technology
Дата публікації: 2016
Бібліографічний опис: R. Holomb, M. Veres, A. Czitrovszky, O. Kondrat, V. Mitsa, A. Csik, M. Vondráček, N. Tsud, V. Matolín, K.C. Prince. Laser induced mass transport in As-S chalcogenide nanolayers as a basis for novel active functional optics and ultrafast photonics // The 24th Annual International Conference on Advanced Laser Technologies (ALT’16), 12-16 September 2016, Galway, Ireland, p. LDS-P-9
Короткий огляд (реферат): Nowadays photonics and light technology are already used in information processing systems. Novel photonic and nano-technologies are extremely developing fields indicating that we will depend as much on photonics rather than on electronics in the nearest future. New types of materials are needed to control the light and to access all optical functionality, generally called nanostructured materials with dimensions of their structural elements in the order of tens nanometers.
Тип: Text
Тип публікації: Тези до статті
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): https://dspace.uzhnu.edu.ua/jspui/handle/lib/10258
Розташовується у зібраннях:Наукові публікації кафедри інформатики та фізико-математичних дисциплін
Наукові публікації кафедри інформаційних управляючих систем та технологій

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
11_ALT'16_2166_p_1-2_89.pdf673.56 kBAdobe PDFПереглянути/Відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.