Термоелектричні властивості евтектичних сплавів квазіпотрійної системи SnSe₂-TlBiSe₂-Bi₂Se₃

Abstract

У даній роботі представлено результати дослідження термоелектричних властивостей зразків евтектичних сплавів квазіпотрійної системи SnSe₂-TlBiSe₂-Bi₂Se₃. Проведено аналіз та узагальнення результатів, зроблено висновки щодо найбільш перспективних ділянок, у межах яких можна очікувати реалізацію проміжних фаз із ефективними термоелектричними параметрами.

The eutectic alloys of a quasiternary system SnSe₂-TlBiSe₂-Bi₂Se₃ are synthesized. Samples for measurings prepared by the way of pressed polycrystals. The thermoelectric properties studied by a Harman method in temperature range 300–600 K. Is established, that the two-component eutectic composition (Bi₂Se₃)0.70(TlBiSe₂)0.30 has low electrical conductivity and falls into to n-type of semiconductors. The two-component eutectic (SnSe₂)0.67(Bi₂Se₃)0.33 has high thermoelectric performance Zt=0,94×10-3 K-1 at 595 K. Third dual eutectic alloys of a composition (SnSe₂)0.55(TlBiSe₂)0.45 is characterized by the best parameters of thermoelectric performance Zt≈2×10- 3 K-1 at 536 K. Alone ternary eutectic alloys in this system (SnSe₂)0,49(Bi₂Se₃)0,27(TlBiSe₂)0,24 has low parameters Zt<0,1×10-3 K-1 in all the learnt temperature interval. Taking into consideration maximum of value of thermoelectric performance of source reductants and learnt eutectics, the most perspective areas in ternary system SnSe₂-TlBiSe₂-Bi₂Se₃ for looking up new thermoelectrics are determined. Is established, that new effective composition, most likely, are on sections е2–е3, е3–TlBiSe₂, SnSe₂–е3, е3–Е1, and also in conditional areas SnSe₂–е2–е3 and е2–е3–Е1. The offered scheme of the plotting of increase of thermoelectric performance of eutectic alloys and other intermediate phases is possible to use by consideration other ternary chalcogenides systems.