Типи ближнього порядку атомної сітки аморфних плівок системи Ge-Sb-Se

Abstract

Приведені експериментальні результати електронографічних досліджень структури атомної сітки аморфних плівок системи Ge-Sb-Se з хімічними складами, розміщеними по всьому трикутнику Гібса. Встановлені основні типи ближнього та проміжного порядку, які реалізуються в таких конденсатах та запропоновані моделі їх атомної структури.

The structure of chalcogenide semiconductors amorphous films on all system Ge-Sb-Se was investigated by electron diffraction method. The basic types of the short range order of the disorder network, realized in the amorphous films the given system are certain. Models of structure of amorphous condensates of system Ge-Sb-Se in various concentration areas are offered.