Дослідження залежностей електричного опору від тиску кристалів Sn2P2S6 в діамантовій камері

Abstract

Проведені виміри залежностей електричного опору від тиску до 3.5 ГПа в діамантовій камері на кристаликах Sn2P2S6 при кімнатній температурі. Встановлено, що R(p) зменшується з тиском. Запропоновані рівняння, якими можна описати залежності R(p) , Ат( p), EgR(T, p) від тиску для Sn2P2S6. Методом апроксимації, визначені араметри рівнянь та проведено їх аналіз. Виявлені аномалії в баричних залежностях електричного опору, які інтерпретовані, як новий структурний фазовий перехід під тиском в Sn2P2S6 при p=3GPa .

Measurements of the electrical resistance versus pressure up to 3.5 GPa and room temperature are realized for Sn2P2S6 samples in diamond anvil cell. It is established, that electrial resistance decreases with increasing pressure. Equations describing pressure dependences R(p), Ат(p), EgR(T, p) of Sn2P2S6 are presented. Parameters of presented equations are obtained by approximation method. Discontinuities of pressure dependences of the electrical resistance are observed, which are possibly related to a new structural phase transition uder pressure in Sn2P2S6 at p=3GPa .