Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
https://dspace.uzhnu.edu.ua/jspui/handle/lib/14819| Название: | Дослідження залежностей електричного опору від тиску кристалів Sn2P2S6 в діамантовій камері |
| Другие названия: | Electrical resistance of Sn2P2S6 crystals under pressure in diamond anvil cell |
| Авторы: | Тягур, Юрій Ілліч Щенніков, В.В. |
| Ключевые слова: | кристали тіогіподифосфату олова (Sn2P2S6), аналіз р-Т діаграми Sn2P2S6 |
| Дата публикации: | 2009 |
| Издательство: | Видавництво УжНУ "Говерла" |
| Библиографическое описание: | Дослідження залежностей електричного опору від тиску кристалів Sn(2)P(2)S(6) в діамантовій камері [Текст] / Ю. І. Тягур, В. В. Щенніков // Науковий вісник Ужгородського університету : Серія: Фізика / відп. за вип. В. Біланич. – Ужгород: Видавництво УжНУ «Говерла», 2009. – Вип. 25. – С. 79–87. – Бібліогр.: с. 85–86 (26 назв). – Рез.– англ., рос. |
| Краткий осмотр (реферат): | Проведені виміри залежностей електричного опору від тиску до 3.5 ГПа в діамантовій
камері на кристаликах Sn2P2S6 при кімнатній температурі. Встановлено, що R(p)
зменшується з тиском. Запропоновані рівняння, якими можна описати залежності R(p) ,
Ат( p), EgR(T, p) від тиску для Sn2P2S6. Методом апроксимації, визначені
араметри рівнянь та проведено їх аналіз. Виявлені аномалії в баричних залежностях
електричного опору, які інтерпретовані, як новий структурний фазовий перехід під
тиском в Sn2P2S6 при p=3GPa . Measurements of the electrical resistance versus pressure up to 3.5 GPa and room temperature are realized for Sn2P2S6 samples in diamond anvil cell. It is established, that electrial resistance decreases with increasing pressure. Equations describing pressure dependences R(p), Ат(p), EgR(T, p) of Sn2P2S6 are presented. Parameters of presented equations are obtained by approximation method. Discontinuities of pressure dependences of the electrical resistance are observed, which are possibly related to a new structural phase transition uder pressure in Sn2P2S6 at p=3GPa . |
| Тип: | Text |
| Тип публикации: | Стаття |
| URI (Унифицированный идентификатор ресурса): | https://dspace.uzhnu.edu.ua/jspui/handle/lib/14819 |
| Располагается в коллекциях: | Науковий вісник УжНУ Серія: Фізика. Випуск 25 - 2009 |
Файлы этого ресурса:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 10.Дослідження залежностей електричного опору від тиску кристалів.pdf | 182.87 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.