Вплив методу та умов вирощування на електричні властивості кристалів SnS2

Abstract

Узагальнено результати дослідження електропровідності, холлівської рухли-вості та ефективних мас електронів і дірок у шаруватих кристалах SnS2, виро-щених методами хімічних транспортних реакцій, статичної сублімації й Брі-джмена. Показано, що високе значення анізотропії електропровідності (с / ||с = 103104) не зв’язане з анізотропією ефективних мас електронів, а зумовлене наявністю плоских протяжних дефектів упаковки шарів в реальних кристалах, які є потенціальними бар’єрами для електронів. Ключові слова: дисульфід олова, електропровідність, рухливість носіїв заря-ду, ефективні маси.

Research results of an electrical conductivity, Hall mobility and effective masses of electrons and holes in layered crystals SnS2, grown up by CTR, static sublimation and Bridgman methods are generalized. It is shown that the high value of anisotropy of electrical conductivity (c/||c = 103104) is not associated with the anisotropy of effective masses of electrons and it is caused by the presence of plane extended de-fects of layers packing in rеal crystals, which are the potential barriers for electrons. Keywords: tin disulphide, electrical conductivity, carrier mobility, effective masses.