Please use this identifier to cite or link to this item:
https://dspace.uzhnu.edu.ua/jspui/handle/lib/15845
Full metadata record
DC Field | Value | Language |
---|---|---|
dc.contributor.author | Міца, Володимир Михайлович | - |
dc.contributor.author | Петрецький, С. | - |
dc.contributor.author | Фегер, О. | - |
dc.contributor.author | Голомб, Роман Михайлович | - |
dc.contributor.author | Ткач, В. | - |
dc.date.accessioned | 2017-10-12T11:24:20Z | - |
dc.date.available | 2017-10-12T11:24:20Z | - |
dc.date.issued | 2015 | - |
dc.identifier.citation | Пружні модулі, Раманівські спектри та теплопровідність в халькогенідних стеклах системи Ge-As-S [Текст] / В. Міца, С. Петрецький, О. Фегер та ін. // Науковий вісник Ужгородського університету : серія: Фізика / відп. ред. В. Різак; відп. за вип. М. Мар’ян. – Ужгород : Видавництво УжНУ "Говерла", 2015. – Вип. 37. – С. 98–103. – Бібліогр.: с.101 (14 назв). – Рез. рос., англ. | uk |
dc.identifier.uri | https://dspace.uzhnu.edu.ua/jspui/handle/lib/15845 | - |
dc.description.abstract | При різному способі зміни складу вздовж розрізів As2S3-GeS2, As2S3-Ge2S3 се-редня координація не визначає одні і ті ж самі пружні властивості і таку ж структуру ближнього порядку. При відхиленні складу потрійних стекол від складу стекол псевдобінарного розрізу As2S3-GeS2 і збільшенні відношення Ge/S від 0.50 (GeS2) до 0.66 (Ge2S3) в крайніх членах розрізів As2S3-GeS2, As2S3-Ge2S3, відповідно, в матриці структури потрійних стекол As2S3-Ge2S3, з ростом відношення Ge/S в області проміжних складів наростає виділення на-нофаз реальгару, парареальгару (As4S4) та диморфіту (As4S3). Для обох розрізів в області проміжних складів з нанофазними виділеннями спостерігається зме-ншення теплопровідності. Ключові слова: халькогенідні стекла, Раманівська спектроскопія, нанофазні включення, середнє координаційне число, реальгар, теплопровідність стекол, повздовжні пружні модулі. | uk |
dc.description.abstract | Different way of changing composition along As2S3-GeS2, As2S3-Ge2S3 lines the mean coordination does not determine the same elastic properties and the same short range order structure. At deviation in composition in ternary glasses from composi-tion of pseudo-binary As2S3-GeS2 line and increase Ge/S ratio from 0.50 (GeS2) to 0.66 (Ge2S3) in terminal terms of As2S3-GeS2, As2S3-Ge2S3 lines, respectively, the realgar, pararealgar (As4S4) and dimorphite (As4S3) phase separation in the structural matrix of ternary As2S3-Ge2S3 glasses in intermediate composition region is increases with increasing Ge/S ratio. The decrease in thermal conductivity is observed for both lines in the region of intermediate composition with nanophase inclusions. Keywords: chalcogenide glass, Raman spectroscopy, nanophase inclusions, the mean coordination number, realgar, thermal conductivity of glass, longitudinal elas-tic moduli. | uk |
dc.language.iso | uk | uk |
dc.publisher | Видавництво УжНУ "Говерла" | uk |
dc.subject | халькогенідні стекла | uk |
dc.subject | Раманівська спектроскопія | uk |
dc.subject | нанофазні включення | uk |
dc.subject | середнє координаційне число | uk |
dc.subject | реальгар | uk |
dc.subject | теплопровідність стекол | uk |
dc.subject | повздовжні пружні модулі | uk |
dc.title | Пружні модулі, раман спектри та теплопровідность в халькогенідних стеклах системи Ge-As-S | uk |
dc.title.alternative | Elastic moduls, raman spectra and thermal conductivity of chalcogenide Ge-As-S glass system | uk |
dc.type | Text | uk |
dc.pubType | Стаття | uk |
Appears in Collections: | Науковий вісник УжНУ Серія: Фізика. Випуск 37 - 2015 Наукові публікації кафедри інформатики та фізико-математичних дисциплін |
Files in This Item:
File | Description | Size | Format | |
---|---|---|---|---|
пружні модулі.pdf | 747.49 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.