Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: https://dspace.uzhnu.edu.ua/jspui/handle/lib/15845
Название: Пружні модулі, раман спектри та теплопровідность в халькогенідних стеклах системи Ge-As-S
Другие названия: Elastic moduls, raman spectra and thermal conductivity of chalcogenide Ge-As-S glass system
Авторы: Міца, Володимир Михайлович
Петрецький, С.
Фегер, О.
Голомб, Роман Михайлович
Ткач, В.
Ключевые слова: халькогенідні стекла, Раманівська спектроскопія, нанофазні включення, середнє координаційне число, реальгар, теплопровідність стекол, повздовжні пружні модулі
Дата публикации: 2015
Издательство: Видавництво УжНУ "Говерла"
Библиографическое описание: Пружні модулі, Раманівські спектри та теплопровідність в халькогенідних стеклах системи Ge-As-S [Текст] / В. Міца, С. Петрецький, О. Фегер та ін. // Науковий вісник Ужгородського університету : серія: Фізика / відп. ред. В. Різак; відп. за вип. М. Мар’ян. – Ужгород : Видавництво УжНУ "Говерла", 2015. – Вип. 37. – С. 98–103. – Бібліогр.: с.101 (14 назв). – Рез. рос., англ.
Краткий осмотр (реферат): При різному способі зміни складу вздовж розрізів As2S3-GeS2, As2S3-Ge2S3 се-редня координація не визначає одні і ті ж самі пружні властивості і таку ж структуру ближнього порядку. При відхиленні складу потрійних стекол від складу стекол псевдобінарного розрізу As2S3-GeS2 і збільшенні відношення Ge/S від 0.50 (GeS2) до 0.66 (Ge2S3) в крайніх членах розрізів As2S3-GeS2, As2S3-Ge2S3, відповідно, в матриці структури потрійних стекол As2S3-Ge2S3, з ростом відношення Ge/S в області проміжних складів наростає виділення на-нофаз реальгару, парареальгару (As4S4) та диморфіту (As4S3). Для обох розрізів в області проміжних складів з нанофазними виділеннями спостерігається зме-ншення теплопровідності. Ключові слова: халькогенідні стекла, Раманівська спектроскопія, нанофазні включення, середнє координаційне число, реальгар, теплопровідність стекол, повздовжні пружні модулі.
Different way of changing composition along As2S3-GeS2, As2S3-Ge2S3 lines the mean coordination does not determine the same elastic properties and the same short range order structure. At deviation in composition in ternary glasses from composi-tion of pseudo-binary As2S3-GeS2 line and increase Ge/S ratio from 0.50 (GeS2) to 0.66 (Ge2S3) in terminal terms of As2S3-GeS2, As2S3-Ge2S3 lines, respectively, the realgar, pararealgar (As4S4) and dimorphite (As4S3) phase separation in the structural matrix of ternary As2S3-Ge2S3 glasses in intermediate composition region is increases with increasing Ge/S ratio. The decrease in thermal conductivity is observed for both lines in the region of intermediate composition with nanophase inclusions. Keywords: chalcogenide glass, Raman spectroscopy, nanophase inclusions, the mean coordination number, realgar, thermal conductivity of glass, longitudinal elas-tic moduli.
Тип: Text
Тип публикации: Стаття
URI (Унифицированный идентификатор ресурса): https://dspace.uzhnu.edu.ua/jspui/handle/lib/15845
Располагается в коллекциях:Науковий вісник УжНУ Серія: Фізика. Випуск 37 - 2015
Наукові публікації кафедри інформатики та фізико-математичних дисциплін

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
пружні модулі.pdf747.49 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.