Фотоіндукована релаксація нанотвердості аморфних плівок Gе40Sе60

Abstract

Представлено результати досліджень нанотвердості аморфних плівок Ge40Se60 при опроміненні лазерним променем з довжиною хвилі 655 нм. Виявлено експоненційне зменшення нанотвердості плівки Ge40Se60 під час лазерного опромінення та аналогічне зростання нанотвердості до початкового значення після припинення опромінювання. Знайдені числові значення релаксаційних параметрів фотоіндукованих змін нанотвердості. Показана кореляція динаміки фотоіндукованих змін нанотвердості з аналогічним процесом, виявленим при дослідженні “in situ” змін мікротвердості плівки Ge40Se60 при аналогічних умовах експерименту. Отримані результати пояснені у рамках інтрамолекулярної моделі фотоіндукованої пластичності. Ключові слова: нанотвердість, фотоіндуковані зміни, тонкі плівки, халькогенідні стекла, Ge-As-Se.

The results of research nanohardness of amorphous films Ge40Se60 irradiated with a laser beam with a wavelength of 655 nm. The exponential nanohardness decrease of Ge40Se60 film during laser irradiation and nanohardness increase, similar to the original value after termination of exposure, were found. The numerical value of relaxation options for photoinduced changes of nanohardness was found. The correlation dynamics of photoinduced changes of nanohardness for the same process, which was identified in the study "in situ" changes of microhardness of Ge40Se60 film, was showed under similar experimental conditions. The results are explained under the intramolecular photoinduced plasticity model. Keywords: nanohardness, pphotoinduced changes, thinks film, chalcogenide glasses, Ge-As-Se.