Вплив автоіонізаційних станів на заселення енергетичних рівнів атомів підгрупи алюмінію

Abstract

Представлено аналіз впливу автоіонізаційних станів на збудження атомів підгрупи алюмінію в контексті важливості каскадного заселення та конфігура- ційної взаємодії енергетичних рівнів. Вказані супутні процеси відіграють де- далі більшу роль при зростанні головного квантового числа n низхідних рівнів в межах окремих спектральних серій, а в межах підгрупи алюмінію – при пе- реході від атомів важких до атомів легких елементів (Ta, In, Ga, Al). Стаття присвячена пам’яті Алексахіна І.С., який провів вперше прямі експеримента- льні спостереження радіаційного розпаду автоіонізаційних станів атомів при електронно-атомних зіткненнях.

The analysis of the effect of autoionising states on excitation of atoms in aluminium subgroup is presented in the context of the importance of cascade population and configuration interaction of energy levels. These processes play the ascending role both within the particular series with increasing of the quantum number n, and within the aluminium subgroup from heavy to light atoms (Tl, In, Ga, Al).