Парціальні характеристики автоіонізаційних станів, які збігаються до третього порогу атома гелію

Abstract

Розраховано парціальні положення та ширини найнижчих 10-ти синглетних ‘S, ‘Р, ‘D, 'F автоіонізаційних станів, які збігаються до порогу N=3 атома гелію. Проведенно аналіз парціальних ширин, що дозволило виявити автоіонізаційні стани, які розпадаються в один або два канали. Таким чином виявлено квазістаціонарні стани, для яких сильний зв’язок каналів слід враховувати з одним або двома відкритими каналами.

We calculate position and partial widths the lowest 10 singlet *S, *P, *D, *F queasystationary states, which are converged to the threshold N=3 helium atom. We current the analyse partial widths. This gives the possibility to found queasystationary states, which decay in to one or two channels. So, we have found queasystationary states, for which strength coupling exist with one or two channel.