Квантово-механічні розрахунки зарядового стану атомів у монокристалах Cd2P3Cl(Br,I)

Abstract

Побудовані кластерні моделі ідеальних та дефектних монокристалів сполук Сб2РзГ, де Г = СІ, Вг, І. На базі розширеного методу Хюккеля теоретично досліджено розподіл електронної заселеності на атомах та зміну зарядового стану атомів фосфору при заміні галогену у цих сполуках. З енергетичної точ¬ки зору розглянуто можливість утворення вакансій атомів фосфору та місця їх розташування в кристалічній гратці. Виявлено, що розрахунки як ідеальних, так і дефектних кристалів, не дають позитивну валентність атомів фосфору і не підтверджують двоханіонну-двохкатіонну модель їх зарадового стану в цих сполуках. Найбільше погоджується з даними розрахунків іонна формула СсІг^з’Т1-.

The cluster models of the ideal and defect single crystals of the Cd2P3T family (T = Cl, Br, I) are constructed. Basing of the extended Huckel method a distribution of the electron population on the atoms, and changes of the charge state of the phosphorus atoms at replacement of the chalkogen in these compounds are theoretically studied. A possibility of formation of the phosphorus vacancies and their positions in the crystal lattice is considered from energy point of view. It was revealed that the calculations of the both ideal and defect crystals do not give a positive valence of the phosphorus atoms and do not confirm two-anion - two-cation model of the charge states in these compounds. The most consistent with the calculations is a formula