Вирощування монокристалів сполук TlSbP2Se6, AgSbP2Se6 та AgBiP2Se6

Abstract

Crystals of TlSbP2Se6, AgSbP2Se6 and AgBiP2Se6 were growth by vertical Bridgman method. After furnace heating, the upper temperatures were maintained at about 50 K above the melting points. The crystals were grown with a rate of 0.25 mm/hr through a cooling gradient nearly 3-4 K/mm. The obtained crystal was annealed at temperatures which correspond to 2/3 of the melting point for 120 hr. As a result, single crystals without cracks and other discontinuities, robust in air were received. The obtained crystals have identified by XRD. The experimental XRD patterns were in good agreement with calculated on literature data.

Кристали TlSbP 2 Se 6 , AgSbP2Se6 і AgBiP2Se6 вирощували вертикальним методом Бріджмена. Після нагріву печі верхні температури підтримували приблизно на 50 K вище точок плавлення. Кристали вирощували зі швидкістю 0,25 мм/год через градієнт охолодження близько 3-4 K /мм. Отримані кристали відпалювали при температурах, що відповідають 2/3 температури плавлення, протягом 120 годин. В результаті були отримані монокристали без тріщин та інших дефектів, стійкі на повітрі. Отримані кристали були ідентифіковані методом рентгеноструктурного аналізу. Експериментальні рентгенограми добре узгоджуються з розрахованими за з літературними даними.