Мінімальні комплекси зон і їх реалізація в енергетичній структурі ромбічних кристалів

Abstract

На прикладі ромбічних кристалів SbSI ( 16 ( )2h nam D P ) і 4 3 In Se( 12 ( ) D2h Pnnm ) нами продемонстровано універсальність і фундаментальність концепції мінімальних комплексів зон, яка на основі найбільш загальних да- них про кристал і наближенні пустої гратки дозволяє одержати або передбачи- ти топологію і симетрію енергетичного спектру та просторовий розподіл гус- тини валентних електронів в складних напівпровідниках.

Based upon the example of orthorhombic SbSI ( 16 ( ) 2h nam D P ) і 4 3 In Se ( 12 ( ) D2h Pnnm ) crystals we have demonstrated the universality and fundamentality of the elementary energy bands concept. This concept allows one to obtain or predict the topology and symmetry of energy spectrum and spatial valence electron density distribution in complex semiconductors, using only the general data about a crystal and empty lattice approximation.