Вплив зсувових деформацій та домішок впровадження на закони дисперсії носіїв струму в шаруватих кристалах In4Se3

Abstract

Раніше нами розроблена теорія впливу деформацій на закони дисперсії кристалів з неоднорідним зв’язком застосована до дослідження законів диспе- рсії деформованого In4Se3. Показано, що зсувові деформації типу x y e ( x z e ) приводять до додаткових членів у секулярній матриці D(k ) r , записаної для взаємодіючих валентної зони і зони провідності кристалу, і в результаті, до зміщення екстремумів E(k ) r в близьке оточення точки Г з утворенням низь- коенергетичної непараболічності. Проведені дослідження дають можливість краще зрозуміти природу виявленої при ab initio розрахунках трансформації низькоенергетичної непараболічності E(k ) r , викликаної домішками впрова- дження.

The theory of deformational effect on the dispersion laws of crystals with inhomogeneous bonding, earlier developed by us, is applied to the investigation of dispersion laws of strained In4Se3. It is shown that the shear strains like x y e ( x z e ) lead to the additional terms in the secular matrix D(k ) r written for the interactiong valence and conduction bands of the crystal, and as a result - to the shift of extrema of E(k ) r to the vicinity of Г-point, resulting in low-energy non-parabolicity. The conducted investigations allow a better understanding of nature of ab initio revealed transformation of low-energy non-parabolicity of E(k ) r caused by interstitials.