Кінетичні параметри кристалізації тонких плівок на основі стекол системи Ge-As-Te та їх термооптичні зміни

Abstract

Показано, що реєстрація зміни оптичного пропускання дає можливість ви- значати кінетичні параметри реакції кристалізації. Визначені кінетичні пара- метри реакції кристалізації та зроблена ідентифікація виділених кристалічних фаз. Встановлено, що змінюючи склад і температуру підігріву плівки можна в певних межах керувати чутливістю шарів системи Ge-As-Te.

Possibility of the determination of kinetic parameters of the crystallization reaction by the optical transmission change registration, was established. Kinetic parameters of the crystallization reaction were estimated. The distinguished crystallization phases were identified. It was concluded that the composition variations and temperature changes allow of control of the sensitivity of Ge-As-Te films within the definite range.