Дослідження взаємодії в системі Ge40 (S,Se)60+In та деякі властивості тонкоплівкових структур на їх основі

Abstract

Досліджено умови одержання плівкоутворюючих матеріалів на основі сплавів Ge40(S,Se)60. Вперше методом диференціально-термічного аналізу в режимах нагрівання-охолодження досліджено взаємодію в системі даних сплавів і модифікатора (In). Розроблено методику одержання та визначено механізми формування модифікованих градієнтних тонкоплівкових структур на основі систем Ge-(S,Se)+In, напилених у вакуумі.

The conditions of obtaining film-forming material on the base of germanium sulfide- selenide alloy have been studied. Using differential thermal analysis method in the heating/cooling regimes, the interaction in the Ge4o(S,Se)60 (matrix) and modifier (In) alloy system has been studied for the first time. The technique of obtaining modified gradient thin-film structures on the base of Ge-(S,Se)+In systems deposited in vacuum have been proposed, the mechanisms of formation of such gradient thin-film structures have been investigated.