Please use this identifier to cite or link to this item:
https://dspace.uzhnu.edu.ua/jspui/handle/lib/20628
Full metadata record
DC Field | Value | Language |
---|---|---|
dc.contributor.author | Блецкан, Дмитро Іванович | - |
dc.contributor.author | Вакульчак, Василь Васильович | - |
dc.contributor.author | Лукач, А. В. | - |
dc.contributor.author | Студеняк, Ігор Петрович | - |
dc.date.accessioned | 2018-10-10T08:26:31Z | - |
dc.date.available | 2018-10-10T08:26:31Z | - |
dc.date.issued | 2016 | - |
dc.identifier.citation | Электронная структура Ag2S и Ag2GeS3 / Д. И. Блецкан, В. В. Вакульчак, А. В. Лукач, И. П. Студеняк // Науковий вісник Ужгородського університету : серія: Фізика / відп. ред. В. Різак; відп. за вип. М. Мар’ян. – Ужгород, 2016. – Вип. 40. – С.30-40. | uk |
dc.identifier.issn | 2415-8038 | - |
dc.identifier.uri | https://dspace.uzhnu.edu.ua/jspui/handle/lib/20628 | - |
dc.description.abstract | В локальном приближении теории функционала плотности выполнены расчеты зон- ной структуры, полной и парциальных плотностей состояний, распределения элек- тронной плотности в Ag2S и Ag2GeS3. По результатам расчета сделан детальный ана- лиз структуры валентных состояний. Показано, что оба соединения являются прямо- зонными полупроводниками с рассчитанной шириной запрещенной зоны Egd = 0.91 эВ для Ag2S и Egd = 1.96 эВ для Ag2GeS3. Химическая связь в этих соединениях имеет ионную и ковалентную составляющие. | uk |
dc.description.abstract | У локальному наближенні теорії функціонала густини виконано розрахунки зонної структури, повної і парціальних густин станів, розподілу електронної густини в Ag2S і Ag2GeS3. За результатами розрахунку проведено детальний аналіз природи валентних станів. Показано, що обидва кристали є прямозонними напівпровідниками з розрахо-ваною шириною забороненої зони Egd = 0.91 еВ для Ag2S і Egd = 1.96 еВ для Ag2GeS3. Хімічний зв'язок в цих сполуках має іонну і ковалентну складові. | uk |
dc.description.abstract | Purpose: Interest to the study of Ag2S and Ag2GeS3 crystals is caused by the presence of high ionic conductivity which nature has not yet been adequately explained. Electronic struc-ture calculations for these compounds are very useful in this regard and their knowledge will help to establish the character of chemical bonding between Ag and S as well as between Ge and S which is necessary for the better understanding of the ionic conductivity mechanism. Methods: This paper presents the calculations of band structure, total and partial densities of states, spatial distribution of valence charge density for Ag2S and Ag2GeS3 crystals per-formed within density functional theory in the local density approximation (LDA and LDA+U). Results: It follows from the electronic structure calculations that both crystals are the direct-gap semiconductors with the band gap widths Egd = 0.91 eV for Ag2S and Egd = 1.96 eV for Ag2GeS3 calculated in the LDA+U-approximation. The valence band of Ag2GeS3 contains four energetically isolated bunches of occupied bands. Two quasi-core bands in the valence band bottom are formed mainly by sulfur 3s-states with the insignificant impurities of Ge4s-states into the lowest subband and Ge4p-states into the next subband. The second bunch of occupied bands is formed by hybridized Ge4s- and S3p-states. Most difficult is the upper valence subband. Spectrum of density of electronic states N(E) in this region is formed by S3р- and Ag4d-atomic orbitals with the insignificant impurity of Ge4p-states. The results of ab initio of (r) electronic density calculations showed that the main charge in Ag2S is con-centrated on silver atoms and Ag–S bond is predominantly ionic. The nature of (r) contours in Ag2GeS3 crystal shows the ion-covalent bond type, while Ge–S bond is stronger than Ag–S. Conclusion: From the analysis of crystal structure and valence density distribution maps of Ag2GeS3 it follows that this compound can be attributed to the compounds with Ag-ion transport along channels between the infinite chains formed by corner-sharing [GeS4] tetra-hedra. | uk |
dc.language.iso | ru | uk |
dc.publisher | Видавництво УжНУ "Говерла" | uk |
dc.relation.ispartofseries | Фізика; | - |
dc.subject | електронна структура | uk |
dc.subject | розподіл валентного заряду | uk |
dc.subject | тіогер-манат срібла | uk |
dc.subject | сульфід срібла | uk |
dc.subject | густина станів | uk |
dc.subject | electronic band structure | uk |
dc.subject | distribution of the valence charge | uk |
dc.subject | silver thiogermanate | uk |
dc.subject | silver sulfide | uk |
dc.subject | density of states | uk |
dc.subject | электронная структура | uk |
dc.subject | распределение валентного заряда | uk |
dc.subject | тиогерманат серебра | uk |
dc.subject | сульфид серебра | uk |
dc.subject | плотность состояний | uk |
dc.title | Электронная структура Ag2S и Ag2GeS3 | uk |
dc.title.alternative | ЕЛЕКТРОННА СТРУКТУРА Ag2S І Ag2GeS3 | uk |
dc.title.alternative | ELECTRONIC STRUCTURE OF Ag2S AND Ag2GeS3 | uk |
dc.type | Text | uk |
dc.pubType | Стаття | uk |
Appears in Collections: | Науковий вісник УжНУ. Серія: Фізика. Випуск 40 - 2016 |
Files in This Item:
File | Description | Size | Format | |
---|---|---|---|---|
Блецкан Д. И. и др..pdf | 1.74 MB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.