Please use this identifier to cite or link to this item:
https://dspace.uzhnu.edu.ua/jspui/handle/lib/2182Full metadata record
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Блецкан, Михайло Михайлович | - |
| dc.contributor.author | Грабар, Олександр Олексійович | - |
| dc.date.accessioned | 2015-05-19T09:44:51Z | - |
| dc.date.available | 2015-05-19T09:44:51Z | - |
| dc.date.issued | 2013 | - |
| dc.identifier.citation | Блецкан, М. М. Електронна структура Sn(2)S(3) [Текст] / М. М. Блецкан, О. О. Грабар // Науковий вісник Ужгородського університету : Серія: Фізика. – Ужгород : Говерла, 2013. – Вип.33. – С. 63–70. – Бібліогр.: с. 69 (20 назв). | uk |
| dc.identifier.uri | https://dspace.uzhnu.edu.ua/jspui/handle/lib/2182 | - |
| dc.description | The energy band structure, the spectra of total and local partial densities of states for Sn2S3 crystal are calculated within the density functional theory. On the base of these results a detailed analysis of the valence states is performed. It is established that Sn2S3 is an indirect-band semiconductor with the theoretically evaluated band gap of Egi = 0.53 eV. The calculated energy distributions of total and S3p partial densities of states are compared with known experimental X-ray photoelectron (XPS) and emission (XES) spectra. The electronic density maps in different planes are obtained, and the crystal can be characterized as an ion-covalent compound with the prevailing concentration of a charge on the S–Sn bonds in coordination - tetrahedra and octahedra. It is revealed an important role of lone electronic pair in the formation of the Sn2S3 atomic and electronic structures. Keywords: tin sesquisulfide, electronic structure, density of states, lone pair. | uk |
| dc.description.abstract | В рамках теорії функціонала густини розраховані зонна структура, спектри повної та локальних парціальних густин станів кристала Sn2S3; за результатами розрахунків зроблено детальний аналіз структури валентних станів. Встановле- но, що Sn2S3 є непрямозонним напівпровідником з теоретично оціненою шири- ною забороненої зони Egi = 0.53 еВ. Теоретично розраховані енергетичні розпо- діли повної та S3p-парціальної густин станів зіставлені з відомими експеримен- тальними рентгенівськими фотоелектронним (РФЕС) та емісійним (РЕС) спект- рами. Одержано карти електронної густини в різних площинах, які характери- зують кристал як іонно-ковалентний з переважною концентрацією заряду на зв’язках S–Sn в координаційних -тетраедрах і октаедрах. Встановлена роль не- поділеної електронної пари у формуванні атомної і електронної структур Sn2S3. Ключові слова: сесквісульфід олова, електронна структура, густина станів, неподілена пара. | uk |
| dc.language.iso | uk | uk |
| dc.publisher | Видавництво УжНУ "Говерла" | uk |
| dc.relation.ispartofseries | Фізика; | - |
| dc.subject | сесквісульфід олова | uk |
| dc.subject | електронна структура | uk |
| dc.subject | густина станів | uk |
| dc.subject | неподілена пара | uk |
| dc.title | Електронна структура Sn(2)S(3) | uk |
| dc.title.alternative | Electronic structure of Sn(2)S(3) | uk |
| dc.type | Text | uk |
| dc.pubType | Стаття | uk |
| Appears in Collections: | Науковий вісник УжНУ Серія: Фізика. Випуск 33 - 2013 | |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| Електронна структура Sn2S3.pdf | 3.68 MB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.