Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
https://dspace.uzhnu.edu.ua/jspui/handle/lib/2182| Название: | Електронна структура Sn(2)S(3) |
| Другие названия: | Electronic structure of Sn(2)S(3) |
| Авторы: | Блецкан, Михайло Михайлович Грабар, Олександр Олексійович |
| Ключевые слова: | сесквісульфід олова, електронна структура, густина станів, неподілена пара |
| Дата публикации: | 2013 |
| Издательство: | Видавництво УжНУ "Говерла" |
| Библиографическое описание: | Блецкан, М. М. Електронна структура Sn(2)S(3) [Текст] / М. М. Блецкан, О. О. Грабар // Науковий вісник Ужгородського університету : Серія: Фізика. – Ужгород : Говерла, 2013. – Вип.33. – С. 63–70. – Бібліогр.: с. 69 (20 назв). |
| Серия/номер: | Фізика; |
| Краткий осмотр (реферат): | В рамках теорії функціонала густини розраховані зонна структура, спектри повної та локальних парціальних густин станів кристала Sn2S3; за результатами розрахунків зроблено детальний аналіз структури валентних станів. Встановле- но, що Sn2S3 є непрямозонним напівпровідником з теоретично оціненою шири- ною забороненої зони Egi = 0.53 еВ. Теоретично розраховані енергетичні розпо- діли повної та S3p-парціальної густин станів зіставлені з відомими експеримен- тальними рентгенівськими фотоелектронним (РФЕС) та емісійним (РЕС) спект- рами. Одержано карти електронної густини в різних площинах, які характери- зують кристал як іонно-ковалентний з переважною концентрацією заряду на зв’язках S–Sn в координаційних -тетраедрах і октаедрах. Встановлена роль не- поділеної електронної пари у формуванні атомної і електронної структур Sn2S3. Ключові слова: сесквісульфід олова, електронна структура, густина станів, неподілена пара. |
| Описание: | The energy band structure, the spectra of total and local partial densities of states for Sn2S3 crystal are calculated within the density functional theory. On the base of these results a detailed analysis of the valence states is performed. It is established that Sn2S3 is an indirect-band semiconductor with the theoretically evaluated band gap of Egi = 0.53 eV. The calculated energy distributions of total and S3p partial densities of states are compared with known experimental X-ray photoelectron (XPS) and emission (XES) spectra. The electronic density maps in different planes are obtained, and the crystal can be characterized as an ion-covalent compound with the prevailing concentration of a charge on the S–Sn bonds in coordination - tetrahedra and octahedra. It is revealed an important role of lone electronic pair in the formation of the Sn2S3 atomic and electronic structures. Keywords: tin sesquisulfide, electronic structure, density of states, lone pair. |
| Тип: | Text |
| Тип публикации: | Стаття |
| URI (Унифицированный идентификатор ресурса): | https://dspace.uzhnu.edu.ua/jspui/handle/lib/2182 |
| Располагается в коллекциях: | Науковий вісник УжНУ Серія: Фізика. Випуск 33 - 2013 |
Файлы этого ресурса:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| Електронна структура Sn2S3.pdf | 3.68 MB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.