Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
https://dspace.uzhnu.edu.ua/jspui/handle/lib/2190| Назва: | Електронна структура фаз низького та високого тисків дисульфіду кремнію |
| Інші назви: | Electronic structure of the lowand high pressure phases of silicon disulfide |
| Автори: | Блецкан, Дмитро Іванович Вакульчак, Василь Васильович Глухов, Костянтин Євгенович |
| Ключові слова: | дисульфід кремнію, поліморфізм, електронна структура, густина станів |
| Дата публікації: | 2013 |
| Видавництво: | Видавництво УжНУ "Говерла" |
| Бібліографічний опис: | Блецкан, Д. І. Електронна структура фаз низького та високого тисків дисульфіду кремнію [Текст] / Д. І. Блецкан, В. В. Вакульчак, К. Є. Глухов // Науковий вісник Ужгородського університету : Серія: Фізика. – Ужгород : Говерла, 2013. – Вип.33. – С. 71–86. – Бібліогр.: с. 85–86 (21 назва). |
| Серія/номер: | Фізика; |
| Короткий огляд (реферат): | Методом функціонала густини виконані самоузгоджені розрахунки зонних спектрів, густин станів, просторового розподілу густини заряду валентних електронів -фази низького та -фази високого тисків SiS2. Для обох фаз ви- конаний симетрійний аналіз, який дозволив встановити симетрію хвильових функцій у ряді високосиметричних точок зони Брилюена та структури зонних зображень валентної зони. За результатами розрахунків зонних структур вста- новлено, що ромбічна -фаза SiS2 є непрямозонним напівпровідником з шири- ною забороненої зони Egi = 2.44 еВ (перехід T1X8), а -фаза – прямозонним з Egd = 2.95 еВ. Теоретично розрахований енергетичний розподіл повної густини станів у валентній зоні -фази SiS2 якісно і кількісно передає основні експери- ментальні особливості рентгенівського фотоелектронного спектра (РФЕС). Ключові слова: дисульфід кремнію, поліморфізм, електронна структура, густина станів. |
| Опис: | The energy band structure, total and partial densities of states and spatial distribution of electron density in the -low and -high pressure phases of SiS2 has been calculated by the density functional method. The symmetry analysis was carried out for both phases, which has allowed to establish the wave functions symmetries in the set of Brillouin zone high-symmetry points and to find of the band representation structures for valence bands. From the results of the band structure calculations follow that -orthorhombic phase of SiS2 is an indirect-band-gap semiconductor with the calculated band gap Egi = 2.44 eV (transition T1X8), and -phase – the directband- gap semiconductor with Egd = 2.95 eV. The theoretically calculated energy distribution of the total valence band density of states of -phase SiS2 qualitatively and quantitatively transmits the main features of the experimental X-ray photoelectron spectrum (XPS). Keywords: silicon disulphide, polymorphism, electronic structure, density of states. |
| Тип: | Text |
| Тип публікації: | Стаття |
| URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | https://dspace.uzhnu.edu.ua/jspui/handle/lib/2190 |
| Розташовується у зібраннях: | Науковий вісник УжНУ Серія: Фізика. Випуск 33 - 2013 |
Файли цього матеріалу:
| Файл | Опис | Розмір | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| ЕЛЕКТРОННА СТРУКТУРА ФАЗ НИЗЬКОГО ТА.pdf | 2.74 MB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.