Моделювання електронної структури складних халькогенідів типу M(2)P(2)Se(6) (M=Sn, Mn)

Abstract

У межах підходу, поєднуючого метод лінійної комбінації атомних орбіталей та метод псевдопотенціалу, виконано розрахунок енергетичних зон сполук Sn2P2Se6 та Mn2P2Se6. Енергетичні положення верхньої межі валентної зони визначені з урахуванням спін-орбітальної взаємодії, внутрішньоатомного кулонівського відштовхування, полярності хімічного зв'язку та впливу pd зв'язку. Використано наближення, яке припускає, що електронні стани бінарних комплексів визначають енергетичне положення електронних станів у валентній зоні та в зоні провідності відповідних потрійних сполук. Визначені ширина забороненої зони, поріг фотоемісії, енергетичні положення максимумів густини станів у зоні провідності та у валентній зоні відносно її верхньої межі. Ключові слова: електронна структура, теорія сильного зв'язку, ширина забороненої зони, поріг фотоемісії, Sn2P2Se6, Mn2P2Se6.