Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
https://dspace.uzhnu.edu.ua/jspui/handle/lib/2561| Назва: | Моделювання електронної структури складних халькогенідів типу M(2)P(2)Se(6) (M=Sn, Mn) |
| Інші назви: | Electronic structure for M(2)P(2)Se(6) (M=Sn, Mn) type chalcogenides |
| Автори: | Клевець, В.Ю. Савченко, М.Д. Щурова, Т.М. Сливка, Олександр Георгійович |
| Ключові слова: | електронна структура, теорія сильного зв'язку, ширина забороненої зони, поріг фотоемісії, Sn(2)P(2)Se(6), Mn(2)P(2)Se(6) |
| Дата публікації: | 2012 |
| Видавництво: | Видавництво УжНУ "Говерла" |
| Бібліографічний опис: | Моделювання електронної структури складних халькогенідів типу M(2)P(2)Se(6) (M=Sn, Mn) [Текст] / В. Ю. Клевець, М. Д. Савченко, Т. М. Щурова, О. Г. Сливка // Науковий вісник Ужгородського університету : Серія: Фізика / ред. кол. : В. Різак (відп. ред.), В. Біланич, Ю. Височанський, О. Грабар. – Ужгород: Говерла, 2012. – Вип. 31. – C. 55–60. – Рез. англ., рос. – Бібліогр.: с. 59–60 (17 назв). |
| Серія/номер: | Фізика; |
| Короткий огляд (реферат): | У межах підходу, поєднуючого метод лінійної комбінації атомних орбіталей та метод псевдопотенціалу, виконано розрахунок енергетичних зон сполук Sn2P2Se6 та Mn2P2Se6. Енергетичні положення верхньої межі валентної зони визначені з урахуванням спін-орбітальної взаємодії, внутрішньоатомного кулонівського відштовхування, полярності хімічного зв'язку та впливу pd зв'язку. Використано наближення, яке припускає, що електронні стани бінарних комплексів визначають енергетичне положення електронних станів у валентній зоні та в зоні провідності відповідних потрійних сполук. Визначені ширина забороненої зони, поріг фотоемісії, енергетичні положення максимумів густини станів у зоні провідності та у валентній зоні відносно її верхньої межі. Ключові слова: електронна структура, теорія сильного зв'язку, ширина забороненої зони, поріг фотоемісії, Sn2P2Se6, Mn2P2Se6. |
| Опис: | The energy band diagram for Sn2P2Se6 and Mn2P2Se6 compounds was calculated within the approach, combining the method of linear combination of atomic orbitals and pseudopotential method. The energy position of the valence band maximum was calculated with account for the spinorbit splitting, the chemical bond polarity, the intra-atomic Coulomb repulsion energy and the effect of pd coupling. In the used approach the energy positions of the electronic states for binary compounds are assumed to be crucial in the determination of the energy position of electronic states in the valence band for ternary compounds. The energy band gap, photoemission threshold, and energy positions of the density of states maxima in the conduction band and in the valence band with respect to its top were determined. Key words: electronic structure, tight binding theory, energy band gap, photoemission threshold, Sn2P2Se6, Mn2P2Se6. |
| Тип: | Text |
| Тип публікації: | Стаття |
| URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | https://dspace.uzhnu.edu.ua/jspui/handle/lib/2561 |
| Розташовується у зібраннях: | Науковий вісник УжНУ Серія: Фізика. Випуск 31 - 2012 |
Файли цього матеріалу:
| Файл | Опис | Розмір | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| МОДЕЛЮВАННЯ ЕЛЕКТРОННОЇ СТРУКТУРИ.pdf | 166.42 kB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.