Please use this identifier to cite or link to this item: https://dspace.uzhnu.edu.ua/jspui/handle/lib/2638
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorPetretskyi, S.-
dc.contributor.authorHolomb, R.-
dc.contributor.authorMitsa, V.-
dc.contributor.authorKondrat, O.-
dc.contributor.authorPopovych, N.-
dc.contributor.authorLovas, G.-
dc.contributor.authorLoja, V.-
dc.contributor.authorМіца, Володимир Михайловичuk
dc.date.accessioned2015-06-11T12:22:49Z-
dc.date.available2015-06-11T12:22:49Z-
dc.date.issued2013-
dc.identifier.citationStructural studies of flash evaporated a–Ge(2)S(3) thin films nanolayers by high resolution X–ray– and synchrotron radiation photoelectron spectroscopy [Текст] / S. Petretskyi, R. Holomb, V. Mitsa et al. // Науковий вісник Ужгородського університету : Серія: Фізика / ред. кол. : В. Різак (відп. ред.), В. Біланич, Ю. Височанський, О. Грабар. – Ужгород : Говерла, 2013. – Вип. 34. – С. 80–84. – Бібліогр.: с. 83–84 (22 назви).uk
dc.identifier.urihttps://dspace.uzhnu.edu.ua/jspui/handle/lib/2638-
dc.descriptionПлівки Ge2S3 були виготовлені методом дискретного термічного випаровування порошку і досліджувалися методом фотоелектронної спектроскопії. Досліджені СФС і РФС спектри опромінених лазером та відпалених плівок Ge2S3. Також проаналізовані зміни параметрів фото- електронних спектрів плівок, індуковані лазерним опроміненням з енергією, близькою до ширини забороненої зони, і термічним відпалом. Обговорюється вплив окислення Ge у при поверхневих шарах на структурні зміни у плівці. Ключові слова: халькогенідне скло, Ge2S3, фотоструктурні зміни, фотоелектронна спектроскопія.uk
dc.description.abstractПлівки Ge2S3 були виготовлені методом дискретного термічного випаровування порошку і досліджувалися методом фотоелектронної спектроскопії. Досліджені СФС і РФС спектри опромінених лазером та відпалених плівок Ge2S3. Також проаналізовані зміни параметрів фото- електронних спектрів плівок, індуковані лазерним опроміненням з енергією, близькою до ширини забороненої зони, і термічним відпалом. Обговорюється вплив окислення Ge у при поверхневих шарах на структурні зміни у плівці. Ключові слова: халькогенідне скло, Ge2S3, фотоструктурні зміни, фотоелектронна спектроскопія.uk
dc.language.isoenuk
dc.publisherВидавництво УжНУ "Говерла"uk
dc.relation.ispartofseriesФізика;-
dc.subjectхалькогенідне склоuk
dc.subjectGe(2)S(3)uk
dc.subjectфотоструктурні зміниuk
dc.subjectфотоелектронна спектроскопіяuk
dc.titleStructural studies of flash evaporated a-Ge(2)S(3) thin films nanolayers by high resolution X-ray- and synchrotron radiation photoelectron spectroscopyuk
dc.title.alternativeСтруктурні дослідження тонкоплівкових наношарів a-Ge(2)S(3) методом рентгенівської фотоелектронної спектроскопії та фотоелектронної спектроскопії з використанням синхротронного випромінюванняuk
dc.typeTextuk
dc.pubTypeСтаттяuk
Appears in Collections:Науковий вісник УжНУ Серія: Фізика. Випуск 34 - 2013
Наукові публікації кафедри інформатики та фізико-математичних дисциплін

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
STRUCTURAL STUDIES OF FLASH EVAPORATED.pdf108.79 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.