Please use this identifier to cite or link to this item:
https://dspace.uzhnu.edu.ua/jspui/handle/lib/2638
Full metadata record
DC Field | Value | Language |
---|---|---|
dc.contributor.author | Petretskyi, S. | - |
dc.contributor.author | Holomb, R. | - |
dc.contributor.author | Mitsa, V. | - |
dc.contributor.author | Kondrat, O. | - |
dc.contributor.author | Popovych, N. | - |
dc.contributor.author | Lovas, G. | - |
dc.contributor.author | Loja, V. | - |
dc.contributor.author | Міца, Володимир Михайлович | uk |
dc.date.accessioned | 2015-06-11T12:22:49Z | - |
dc.date.available | 2015-06-11T12:22:49Z | - |
dc.date.issued | 2013 | - |
dc.identifier.citation | Structural studies of flash evaporated a–Ge(2)S(3) thin films nanolayers by high resolution X–ray– and synchrotron radiation photoelectron spectroscopy [Текст] / S. Petretskyi, R. Holomb, V. Mitsa et al. // Науковий вісник Ужгородського університету : Серія: Фізика / ред. кол. : В. Різак (відп. ред.), В. Біланич, Ю. Височанський, О. Грабар. – Ужгород : Говерла, 2013. – Вип. 34. – С. 80–84. – Бібліогр.: с. 83–84 (22 назви). | uk |
dc.identifier.uri | https://dspace.uzhnu.edu.ua/jspui/handle/lib/2638 | - |
dc.description | Плівки Ge2S3 були виготовлені методом дискретного термічного випаровування порошку і досліджувалися методом фотоелектронної спектроскопії. Досліджені СФС і РФС спектри опромінених лазером та відпалених плівок Ge2S3. Також проаналізовані зміни параметрів фото- електронних спектрів плівок, індуковані лазерним опроміненням з енергією, близькою до ширини забороненої зони, і термічним відпалом. Обговорюється вплив окислення Ge у при поверхневих шарах на структурні зміни у плівці. Ключові слова: халькогенідне скло, Ge2S3, фотоструктурні зміни, фотоелектронна спектроскопія. | uk |
dc.description.abstract | Плівки Ge2S3 були виготовлені методом дискретного термічного випаровування порошку і досліджувалися методом фотоелектронної спектроскопії. Досліджені СФС і РФС спектри опромінених лазером та відпалених плівок Ge2S3. Також проаналізовані зміни параметрів фото- електронних спектрів плівок, індуковані лазерним опроміненням з енергією, близькою до ширини забороненої зони, і термічним відпалом. Обговорюється вплив окислення Ge у при поверхневих шарах на структурні зміни у плівці. Ключові слова: халькогенідне скло, Ge2S3, фотоструктурні зміни, фотоелектронна спектроскопія. | uk |
dc.language.iso | en | uk |
dc.publisher | Видавництво УжНУ "Говерла" | uk |
dc.relation.ispartofseries | Фізика; | - |
dc.subject | халькогенідне скло | uk |
dc.subject | Ge(2)S(3) | uk |
dc.subject | фотоструктурні зміни | uk |
dc.subject | фотоелектронна спектроскопія | uk |
dc.title | Structural studies of flash evaporated a-Ge(2)S(3) thin films nanolayers by high resolution X-ray- and synchrotron radiation photoelectron spectroscopy | uk |
dc.title.alternative | Структурні дослідження тонкоплівкових наношарів a-Ge(2)S(3) методом рентгенівської фотоелектронної спектроскопії та фотоелектронної спектроскопії з використанням синхротронного випромінювання | uk |
dc.type | Text | uk |
dc.pubType | Стаття | uk |
Appears in Collections: | Науковий вісник УжНУ Серія: Фізика. Випуск 34 - 2013 Наукові публікації кафедри інформатики та фізико-математичних дисциплін |
Files in This Item:
File | Description | Size | Format | |
---|---|---|---|---|
STRUCTURAL STUDIES OF FLASH EVAPORATED.pdf | 108.79 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.